日前，中芯国际董事会已经正式对外宣布，前台积电共同营运长蒋尚义担任中芯副董事长。并且，此次，中芯给出的聘用合约是从2020年12月15日起生效，到2021年股东周年大会为止，之后只需要在股东周年大会上重选，每三年一次轮值退任。值得一提的是，中芯给蒋尚义开出的薪资待遇，其实远远比不上当年他在台积电所获的薪酬待遇。

1，中国大陆半导体产业要想加速向前，甚至另辟蹊径做出在业界属一流的创新，引入半导体业界现有的顶尖技术人才，是个行之有效的办法

中芯毕竟是一家企业，显然要跟随市况的变化而有所应对，唯有如此才能在风云变幻的市场中顽强地生存下来。在技术领军人才梁孟松加盟中芯数年之后，中芯再度诚意邀请蒋尚义加入，猜测的话，中芯的本意应是，引入更多半导体业界知名人才，不仅能够提升中芯的实力，也将为中芯开启一条更加光明的大道。

台积电创始人张忠谋曾经说过这样的话，中国台湾、韩国、美国在半导体产业已积累了丰富的经验，学习曲线已经下来，但却是中国大陆再砸多少大钱也难以获得的经验。换言之，中国大陆半导体企业要想加速追赶领先同行，甚至另辟蹊径做出在业界属一流的创新，引入半导体业界现有的顶尖技术人才，是个行之有效的办法。例如，梁孟松便是半导体行业中最顶尖的技术型人才之一。公开资料显示，自梁孟松入行以来，先后发表技术论文高达350余篇，参与发明的半导体技术专利达181件之多。梁孟松在台积电期间参与了每一代制程的研发，之后跳槽三星，对三星研发制程工艺起到了不小的帮助，梁孟松加入中芯后，中芯的制程工艺在过去三年多里突飞猛进、而且快得惊人。

2016年2月，当时中芯宣布研发28纳米工艺，低阶制程良品率只有60%，高阶更只有40%，无法实现盈利。2017年，梁孟松接手后，发现造成中芯28纳米制程良品率低的原因是，管理效率不高、生产流程拖沓、工序多余。他亲自领军改革，不到一年的时间，就将低阶28纳米工艺多晶硅制程的良品率从60%大幅提升至85%以上。同时，高阶制程的良品率也翻倍提升至80%以上，可以面向市场盈利。

因为同时间，台湾联华电子和台积电的工艺制程，要么良品率比你高，要么技术比你先进，中芯的28纳米制程工艺还是没有竞争力，连大陆公司都纷纷把订单给了台积电。为此，梁孟松提出了大胆，激进的策略:停止对28纳米制程的后续发展，跳过20/22纳米和16/18纳米制程，直接量产14纳米制程。这个建议在中芯遭遇到普遍反对，主要是技术瓶颈太大，中芯没有把握。

中芯虽然在2018年8月研制出了14纳米制程，但良品率仅仅只有3%，纯粹就是试验性质，量产没法看。当时，媒体普遍把中芯要做14纳米、10纳米，称作遥不可及的美梦。梁孟松带着团队花了298天，直接将14纳米制程的良品率从3%一口气提升至95%以上，如今已达到量产标准。同时间，其研发的12纳米制程也进入了客户导入阶段。如果说，中芯在没有梁孟松之前，是一步一步走的话，有了梁孟松之后，等于直接开始了百米冲刺，三年走完了台积电十年的路。

2，蒋尚义加入，中芯此时跟进国际大厂布局Chiplet小芯片和先进封装，时间上还来得及，或是追赶上台积电、三星、英特尔的机会

蒋尚义本人在日前表示：“发展先进封装和系统整合技术是我的梦想，也是我到大陆想做的事。每个人都有实现梦想和期望的权利，在我这个年纪，坦白说机会不多了。”

实际上，蒋尚义曾经就向张忠谋建议发展先进封装，并由余振华带领整合“连结与封装部门”，之后参与了台积电后段封测从CoWoS发力走到InFo。蒋尚义在弘芯时，由他主导的“系统代工”就相当接近此技术。

另外，蒋尚义对Chiplet小芯片同样投入甚多。他在弘芯任职时曾表示，从传统晶圆制造，如今已走到7nm以下先进制程，投片的成本至少5亿美元，出片时间长达4~5个月，等同于是说，芯片设计厂商至少需要卖出20亿美元的芯片，并且卖到终端市场上的芯片达到4亿颗以上，才有可能回收高昂的设计成本。放眼当下，除了智能手机芯片市场外，面对如此高的门槛，并不是所有厂商都能玩转得起的；反观物联网市场百花齐放，芯片厂商不必盲目追求先进制程工艺，靠着小芯片选取需要的芯片组合与IP。Chiplet小芯片会是后摩尔定律的解方，通过先进封装将小芯片整合在一起，通过一个介面标准以较低的功耗与功率进行芯片单元间的传输沟通，形成一个系统；或许可以解决当前分散在电路板上的芯片单元各自为政，也特别适用在物联网等多元与低功耗的应用领域。

半导体业者称，由于先进制程工艺已逼近物理极限，摩尔定律面临诸多瓶颈，Chiplet小芯片和先进封装将会是晶圆代工领域另一个决定胜负与提升获利的关键战场，所以三星、台积电、英特尔多年前就积极抢进布局，中芯如果选择此时跟进布局，也还不算晚，或能以此找到不受美国阻挡、追上三星、台积电和英特尔的机会。而中芯要跟进布局，蒋尚义是非常合适的人选。

3，蒋尚义或能帮助中芯买到EUV光刻机设备，以及寻求能够避开美国的技术研发或者设备采购方式

业内人士还认为，中芯之所以邀请蒋尚义加盟，原因之一应该也是希望他能助力中芯引进EUV光刻机设备，蒋尚义与荷兰光刻机大厂ASML的关系相当好。蒋尚义在2000年邀请林本坚加盟台积电，林本坚在光刻技术领域做出了巨大的贡献，林本坚不仅与曾经的直属上司蒋尚义、也与ASML的关系迄今仍相当友好。在蒋尚义的协助下，中芯至少可与ASML坐下来好好协商，同时寻求能够避开美国的技术研发或者设备采购方式。实际上，ASML能够登顶全球光刻机市场霸主宝座，当年与台积电的合作分不开，当然也要涉及到蒋尚义和林本坚等人。

2000年初，正是林本坚接到了蒋尚义打来的电话，邀请他加入台积电。林本坚于2000 年 4 月到台积电上班。林本坚加入台积电后，独排众议力挺以“浸润式光刻”技术取代当时主流的“干式光刻”技术，给全球半导体生态带来了巨大的改变。

2002年，全球半导体产业从130nm工艺节点、90 nm节点，再到 65 nm节点左右，遭遇了史无前例的技术“大撞墙期”。林本坚提出“浸润式光刻”技术以前，半导体制程一直是以“空气”为媒介，即所谓的“干式光刻”技术。当时业界的共识是继续研发157 nm波长的干式光刻机，但在此技术方向上遭遇了严重卡关。

林本坚认为，与其在157nm波长的光刻技术上久攻不克，不如回到193nm波长，将介质从空气改为水（以水为透镜，在芯片与光源间注入纯水，波长光束通过介质“水”后缩短成更短的波长），使光束波长缩短至134nm。

在初期，林本坚提出的技术突破原理遭到当时众多的半导体大厂反对，甚至招来敌意。因为，当时大厂已经投入巨资在研发157nm干式光刻机上，其中，ASML就为此投入了7.5亿美元的研发费用，如果技术大转弯，等于是宣告大厂的研发费用均血本无归，可以想像，当时的林本坚承受的压力之重。

一些反对的大厂也提出疑虑，认为以水为介质容易产生污染，且水中的气泡会影响光刻成果等，但林本坚不畏质疑，带领团队完成一篇篇的论文发表到国际期刊上，一一解答外界的疑虑。

而将林本坚找进台积电，时任台积电共同运营长的蒋尚义透露过，当年确实有大公司的高层表达严重关切，希望蒋尚义能管管林本坚，要他不要来“搅局”。而林本坚也曾表示，若是没有蒋尚义的支持，他提出的浸润式光刻技术根本无法推动。此后，林本坚提出的浸润式光刻技术在张忠谋、蒋尚义的大力支持下，方才有机会放手一博，逐渐获得了国际大厂的认同。

ASML后来才明白过来，林本坚提出的技术突破原理是正确的，于是与台积电展开合作。最终，ASML和台积电于2004年共同研发出了全球第一台浸润式光刻机。浸润式光刻技术的发展，不仅让台积电受益匪浅，也促进了ASML大发展，而且还为后来ASML全面超越日本尼康、佳能奠定了基础。ASML执行长彼得·韦尼克就曾说过：“有了浸润式光刻技术，才会有后来的iPhone手机，而且的确如此。”

（我为科技狂整理）