绕开EUV光刻机,华为海思实现技术突破,14nm芯片性能堪比7nm

在网络连接技术快速升级换代,智能终端设备不断推陈出新的大背景下,许多国家和地区都提升了对半导体产业的重视程度。我国在该领域虽然起步较晚,整体水平落后于国际,但近两年也交出了 让人眼前一亮的成绩单,不少难点相继被攻克。

绕开EUV光刻机,华为海思实现技术突破,14nm芯片性能堪比7nm

芯片发展困境

其实,当前阻碍我国半导体产业进步的因素并不多,光刻机算是最难攻克的一个。其是用于芯片生产的关键设备,决定着芯片精密程度,成本占到了产线总成本的四分之一。

想要生产10nm以下工艺芯片,EUV光刻机必不可少。目前只有ASML公司能够生产该设备,但由于美方压力,EUV光刻机一直没有获得出口许可,这也导致我国芯片制造工艺长时间被挡在10nm门外。

绕开EUV光刻机,华为海思实现技术突破,14nm芯片性能堪比7nm

海思部门建功

不过,在6月23日,知名科技博主菊厂影业Fans就带来了一则好消息。海思研发出了一种全新设计方案,有望绕过EUV光刻机,实现等效7nm芯片生产。

据悉,该方案是将两颗14nm芯片进行双芯叠加,从而使得芯片性能提升至7nm级别。与真正7nm方案相比,虽然新方案芯片尺寸要大一些,但功耗发热控制更加优秀。对当前正处在困境中的中国芯片产业而言,新设计方案意义非同一般。

绕开EUV光刻机,华为海思实现技术突破,14nm芯片性能堪比7nm

对国内芯片产业影响

海思新方案若是可以应用到量产环节,那么国产芯片自给率有望获得大幅提升。毕竟,随着芯片不断升级,先进工艺产能需求将逐步扩大。借此技术加持,以中芯国际为首的国内芯片制造公司有望在国内外市场斩获更多订单,扩大自身在芯片生产领域的影响力。

绕开EUV光刻机,华为海思实现技术突破,14nm芯片性能堪比7nm

同时部分因为特殊原因无法实现芯片生产的中国企业,也有望借此技术加持,早日实现高端芯片自产,摆脱依赖海外企业的困境。结合最新消息来看,2022年我国有望实现14nm工艺芯片国产化,7nm处理器无法生产的困境有望借此机会彻底解决。

绕开EUV光刻机,华为海思实现技术突破,14nm芯片性能堪比7nm

华为麒麟处理器、鲲鹏处理器都有希望在明年年底重新进行生产。当然,长远来看,中国芯片产业想要在芯片赛道反超国际巨头,除了在芯片设计领域进行突破,芯片设备制造,芯片材料生产领域也都应该加大研发投入力度。

你认为中国芯片产业能凭此技术缩短与国际领先企业的差距么?

文/JING 审核/子扬 校正/知秋

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页面更新:2024-05-18

标签:华为   光刻   麒麟   芯片   技术   设计方案   中国   困境   处理器   程度   性能   领域   工艺   我国   产业

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