增资 572%！拓荆科技沈阳子公司注册资本飙至 33.6 亿，半导体设备国产替代再提速

天眼查 App 显示，近日，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司发生工商变更，注册资本由 5 亿元人民币大幅增至约 33.6 亿元人民币，增幅高达约 572%。同时，公司法定代表人由刘静变更为宁建平。这一动作背后，是国内薄膜沉积设备龙头拓荆科技在产能扩张与技术研发上的持续加码。

拓荆创益成立于 2023 年 2 月，由拓荆科技股份有限公司全资持股，经营范围涵盖电子专用设备制造与销售、半导体器件专用设备制造与销售等。此次近 29 亿元的增资规模，远超公司初始注册资本，指向明确 —— 为沈阳高端半导体设备产业化基地的建设运营提供资金支撑。

事实上，拓荆创益正是拓荆科技沈阳二厂项目的核心实施主体之一。据公开信息，该产业化基地项目总投资近 18 亿元，占地 147 亩，总建筑面积达 15.6 万平方米，已于今年 8 月 10 日完成主体结构封顶，计划 2028 年正式投入使用。项目规划建设高标准洁净生产车间、智能化立体库房、先进研发中心及测试实验室，建成后将大幅提升拓荆科技在薄膜沉积设备领域的产能供给能力。

资金来源方面，此次增资与拓荆科技 2025 年度定增直接相关。此前公司完成向特定对象发行股票，实际募集资金净额约 45.58 亿元，其中明确向拓荆创益增资 28.62 亿元，向拓荆科技（上海）有限公司增资 13.03 亿元。募集资金主要投向高端半导体设备产业化基地建设和前沿技术研发中心建设两大项目，后者同样由拓荆创益与拓荆上海联合实施，总投资约 20.92 亿元。

作为国内唯一覆盖全品类薄膜沉积设备的龙头企业，拓荆科技已形成 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD 等完整产品矩阵，并布局先进键合及三维集成设备。2026 年一季度，公司实现营业收入 11.12 亿元，同比增长 56.97%；归母净利润 5.71 亿元，同比扭亏为盈；毛利率大幅提升至 41.69%，先进制程产品已进入规模化量产阶段。在手订单充裕、产能利用率持续高位的背景下，沈阳二厂的投产将成为公司未来两年业绩增长的关键保障。

此次法定代表人同步变更，或与新基地投产后的运营管理架构调整有关。随着国产半导体设备进入加速替代期，拓荆科技以近 34 亿注册资本武装沈阳子公司，既是对下游晶圆厂扩产需求的积极回应，也彰显了其在薄膜沉积这一 "卡脖子" 环节持续深耕的决心。