铠侠和闪迪展示332层全球最高密度3D NAND闪存

在正在举行的未来内存与存储大会（FMS）上，铠侠与闪迪正式发布了其最新的BiCS10 3D QLC NAND闪存器件。该产品拥有全球最高的面密度，面向数据中心级大容量固态硬盘，旨在最大化数据中心的存储密度。这款新芯片是铠侠与闪迪BiCS 3D TLC NAND器件的升级之作，后者的面密度已超过29 Gb/mm²。

此次在FMS大会上推出的铠侠与闪迪BiCS10 3D QLC NAND器件面密度达到37 Gb/mm²，使其成为迄今为止正式发布的世界最高密度3D NAND存储器件。该器件拥有332层有源层，并支持高达4,800 MT/s的接口速率及独立命令地址（SCA）功能，但制造商并未披露该芯片的实际容量。通常情况下，假设存储单元数量相同且裸片尺寸与上月推出的1Tb BiCS10 3D TLC NAND芯片大致相当，这款新存储器件的容量应为1.33 Tb左右（仅为推测）。

这款创下存储密度纪录的全新BiCS10 3D QLC NAND闪存芯片面向数据中心级固态硬盘，这类SSD必须同时具备大容量以及由闪存高速I/O接口实现的良好性能。由于此类应用还致力于降低功耗，铠侠和闪迪还采用了其功率隔离低抽头端接（PI-LTT）技术，旨在降低高速输出驱动器的功耗，同时不牺牲信号完整性。

（图片来源：Blockandfiled）

由于铠侠和闪迪采用其最新的BiCS10工艺技术生产这款BiCS10 3D QLC NAND器件，一旦良率达到目标水平，他们不仅实现了创纪录的位密度，而且与竞争对手的高密度3D QLC NAND芯片相比还能实现更低的成本。因此，这两家公司将能够以低于竞品的价格提供超大容量固态硬盘，或者在售价相近的情况下获得更高的利润率。

"通过重新定义QLC NAND的性能与效率边界，我们第十代BiCS QLC 3D闪存同时在密度、带宽和能效方面实现提升，为高容量闪存存储建立了新范式，从而为下一代基础设施应用提供可扩展的基础，"闪迪首席技术官Alper Ilkbahar表示。

铠侠和闪迪计划将其BiCS10 3D NAND器件主要用于数据中心级存储（即需要大容量和高性能的AI导向型固态硬盘），因此不知是否会很快在消费级固态硬盘上看到此类芯片。