铠侠发布产品终产通知，NAND闪存行业加速迈向新一代3D技术

近日，铠侠（Kioxia）发布产品终产通知（EOL Notification）宣布将逐步停止部分旧款NAND Flash产品的接单与供货。此次涉及的产品主要包括基于Floating Gate（浮栅）技术的32nm、24nm、15nm制程2D NAND产品，以及采用Charge Trap（电荷陷阱）技术的BiCS FLASH™gen.3（64层堆叠，2017年量产）等较早期3D NAND产品，覆盖晶圆、BGA、TSOP、eMMC、UFS、NormalSD等多种形态。

从时间安排看，铠侠已为客户预留较长过渡周期：最后订单截止日期（LTB）为2026年9月30日，最后出货日期（LTS）为2028年12月31日。这意味着相关客户仍有一定时间完成备货、替代料导入和产品升级。

业内人士认为，此次终产通知反映出NAND闪存产业正加快技术迭代，老旧制程和早期3D NAND产品正在退出市场。随着更高层数、更高密度的新一代3D NAND成为主流，存储厂商正将资源集中投入到更先进产品线上，以提升单位成本优势、产能效率和市场竞争力。

对于铠侠而言，停产旧产品不仅是常规的生命周期管理，也体现出其优化产能结构、聚焦高价值产品的战略方向。在当前存储市场竞争持续加剧的背景下，原厂通过清理老旧产品线，将有助于把更多制造与研发资源投向更新一代BiCS FLASH产品，以满足智能手机、数据中心、汽车电子和工业控制等领域不断提升的容量与性能需求。

不过，这一调整也将对下游客户带来直接影响。特别是部分仍在使用旧款eMMC、UFS、SLC或MLC闪存方案的工业、车载和嵌入式设备厂商，后续将面临重新评估供应链、提前锁定库存以及导入替代产品的压力。由于相关产品验证周期较长，尤其在工业和汽车等长生命周期市场，企业需要尽早制定应对方案，以降低未来断供风险。

整体来看，铠侠此次发布EOL通知，是全球NAND产业升级的一个缩影。随着平面NAND和早期3D NAND逐步退场，市场将进一步向更先进的高层堆叠技术集中。对产业链而言，这既是一次旧产能出清，也是一轮新技术加速渗透的重要信号。

值得注意的是，铠侠今年3月16日已向客户发出另一轮停产通知，宣布TSOP封装产品将停止供货。TSOP封装主要用于低容量MLC NAND，该类产品主要服务于传统嵌入式及工业应用市场，进一步反映出老旧存储方案正加速退出产业链。