应对美国光刻芯片垄断，我国研发“键合DRAM”技术，韩媒满声哀叹

最近留意到韩国媒体报道的一篇长文章，里面提到一个很有意思的现象，前几年他们形容中国的长鑫存储，基本是带着蔑视的口吻，说中国只能做低端内存。

但今年开始，他们的语气变了，变得不安，甚至有点焦虑，为什么？因为他们发现长鑫在没有EUV光刻机的情况下，搞出了一条新的技术路线，而且已经开始建厂生产了。

韩国人到底在怕什么？我们从头捋一捋。

被卡住脖子的中国内存产业，选择了一条不一样的路

先说一下这个行业的背景，不管是电脑里的DDR内存，还是AI芯片离不开的HBM内存，它们的颗粒制程都已经进入10纳米级别，而且还在往下降。

在这个尺度上，传统的DUV光刻机已经不够用了，需要EUV光刻机才能做出更精细的电路。

根据公开的行业数据，三星到2025年初至少采购了50多台EUV光刻机，SK海力士也采购了20多台，但长鑫呢？一台都没有，因为美国对中国的半导体设备出口管制，EUV光刻机根本买不到。

按照传统工艺，只靠DUV光刻机，到15纳米节点基本就是极限了，再往下，DUV的光学分辨率无法满足要求，这是物理定律决定的，但长鑫没有坐等，他们打出了两套拳法。

第一套是多重曝光技术，这个不新鲜，就是用DUV光刻机通过多块掩膜版反复雕刻，获得更细的线条。

长鑫用这个办法把节点继续往下推了一点，但说穿了，多重曝光只能算是防御手段，它能让你喘口气，不能让你翻盘。

真正让韩国企业感到压力的是第二套，叫键合DRAM工艺，这个技术改变了整个游戏规则。

键合DRAM到底改变了什么

传统的DRAM芯片里，有两部分功能完全不同的电路，一部分是用来存储数据的存储阵列，主要是电容结构。

另一部分是负责读、写、刷新等控制的外围电路，以前这两部分是平铺在同一块晶圆上的，好比一间平房，卧室和客厅挨在一起。

这种布局有三个问题，第一，存储阵列需要精细的光刻，最好用EUV来雕，但外围电路在同一块晶圆上，也会被EUV一起照，这等于杀鸡用牛刀，成本高又没有意义。

第二，制造存储阵列时要经过高温工艺，温度能达到800摄氏度以上，但外围电路里的晶体管怕热，高温会把它烧坏，工程师只能两头妥协，工艺窗口非常窄。

第三，外围电路占据了晶圆面积，真正用来存数据的区域被压缩，晶圆的整体利用率就低了。

长鑫的键合DRAM工艺，把这个问题彻底解决了，他们把存储阵列和外围电路分开，放到两块独立的晶圆上分别加工。

存储阵列这边，用多重曝光技术硬推高密度，外围电路那边用成熟的便宜工艺就行，然后通过混合键合技术，把两块晶圆垂直叠在一起。

混合键合技术是一个关键，两块晶圆的表面要研磨到原子级别的平整度，偏差不能超过0.5纳米，然后在真空环境中直接压合，靠原子间的范德华力融合成一体。

这样一来，上层晶圆百分之百的面积的都可以用来存数据，存储密度和容量直接翻倍增长，而且因为两片晶圆之间没有传统的凸点和焊料，信号传输延迟和功耗都大幅降低。

有人可能会说，这种堆叠不就和HBM差不多吗？HBM不就是把好几层芯片堆在一起？其实完全不一样。

传统的HBM堆叠，是每层芯片之间通过微凸点连接，好比两层楼之间修了电梯井，数据从一层跑到另一层要经过电梯，路程长，时间久，还发热。

而混合键合相当于把两栋楼直接拼成一栋，墙体之间没有缝隙，信号可以直通，效率高得多。

韩国人算得太精，反而犹豫不决

那么问题来了，键合DRAM这么好，三星和SK海力士为什么不自己搞？据公开报道，他们其实也在研究相关技术，但推进速度慢得多，原因有三个。

第一，混合键合技术对环境和设备的要求极高，稍微有一点灰尘颗粒或者研磨不匀，整张晶圆就会报废，良率如果控制不好，成本比天还高。

第二，三星和SK海力士在传统工艺上已经投入了天文数字的资金，拥有大量EUV光刻机和成熟的产线。

对他们来说，在原有路径上做渐进式改进，赚钱仍然非常稳定，他们没有动力去赌一条高风险的新路。

第三，他们过去几年的主要精力都放在争夺HBM市场的高端订单上，比如英伟达的订单，这让他们的研发资源更倾向于现有技术路线的优化。

长鑫的情况完全不同，长鑫没有退路，他们知道如果死等EUV光刻机，可能就是死路一条，所以他们必须走键合DRAM这条路。

事实上，这个选择和中国过去几年半导体的整体战略是一脉相承的，我们拿不到EUV，就在多重曝光和先进封装上加倍投入。

长江存储就是一个先行者，他们的Xtaing架构就是通过混合键合技术实现了三维堆叠，甚至在某些性能指标上超过了三星。

这些实践为长鑫积累了宝贵的设备、工艺和供应链经验，国产的键合设备、抛光设备、清洗设备就是在这些尝试中被逐渐打磨成熟，建立起了完整的国产封装供应链。

在韩国经济日报那篇报道的结尾，韩国人自己说了一句大实话，他们说，韩国今天能主导全球存储产业，很大程度上是得益于美国对中国的半导体制裁。

但这层政治屏障能撑多久？他们心里也没底，因为长鑫的键合DRAM产线一旦大规模量产，韩国在内存领域苦心经营多年的护城河，就会被人从下游挖开一个口子。

到那时候，美国当初的制裁反而逼出了一个更难对付的对手，这恐怕是制裁者始料未及的。

信源：曝苹果启动长鑫存储DRAM测试 实际采购规模或有限——2026-07-08 11:04·CNMO科技