光电通讯半导体芯片和器件研发生产基地1号楼（研发中心）项目开工

10月22日，陕建十一建集团承建的光电通讯半导体芯片和器件研发生产基地1号楼（研发中心）项目开工仪式在西咸新区沣西新城举行。

该项目位于西咸新区沣西新城开元路1265号，主要建设1栋研发中心单体及2座钢构连桥，总建筑面积7819平方米，工期180天。项目建设单位陕西源杰半导体科技股份有限公司是国内光芯片IDM（垂直整合制造）领域领军企业和A股上市公司，主营光芯片研发、设计、生产与销售，产品覆盖2.5G至200G及以上速率的DFB、EML激光器芯片，广泛应用于电信市场、数据中心、车载激光雷达等领域。该研发中心建成后，将直接服务企业光通信芯片研发版图。

研发中心在平面布局、机电系统、空间品质和结构安全等方面标准高于普通厂房。项目团队坚持策划先行、靠前统筹，结合场地实际规范设置安全通道，实行厂区与施工区分离，降低施工对既有生产办公的影响；施工中严把工程质量、严控施工进度、严格履约，确保以精品工程交付客户，助力区域半导体产业高质量发展。（吕卓芸 段新立）