喜大普奔！中国芯突破封锁，首台纳米压印光刻机交付 直击西方要害

中国芯突破封锁，首台纳米压印光刻机PL—SR正式交付！

据金融界8月7日报道，近日，杭州璞璘科技了推出一款对标日本佳能的光刻机设备，精度直逼10纳米以下，而成本却远低于传统光刻机。

一直被西方垄断的芯片制造核心技术，中国企业终于有了自己的解决方案。

这台光刻机有怎样的潜力？它对中国芯片发展带来怎样的影响？

文案：凤梨 编辑：凤梨

芯片是现代科技的核心，从智能手机到汽车，再到5G基站，每一件智能设备都离不开它。

中国作为世界工厂，对芯片的需求量更是全球断层式第一。

但制造芯片的光刻机却长期被荷兰ASML和日本佳能垄断，中国想造出高端芯片总是受制于人，买不到最先进的设备。

ASML的极紫外光刻机（EUV）是制造7纳米、5纳米芯片的必需品，但因为出口限制，中国企业根本无法购买。

日本佳能的纳米压印设备虽然先进，也加入了限制行列。

这些年美西方对中国的技术封锁，让我国的芯片研发举步维艰。

直到PL-SR的问世，这个问题才得以解开。

这台设备的背后，是杭州璞璘科技团队五年的努力。

团队由纳米压印技术的先驱Stephen Chou院士领衔，成员中90%以上是硕士或博士，拥有100多项相关专利。

他们从实验室开始，逐步将技术转化为可以量产的设备。

五年时间听起来不长，但要把一项前沿技术从理论变成工厂里的机器，难度可想而知。

它的核心技术优势是纳米压印，简单来说就是用一个高精度的石英模板，将电路图案直接压到晶圆上。

这种方式省去了传统光刻机对复杂光源的依赖。

传统光刻机需要极紫外光，依赖昂贵的激光和真空环境，光源效率却只有2%。

相比之下，纳米压印技术工艺更简单，能耗也更低。

这样的方式不仅降低了设备采购和维护的成本，还能满足特定芯片的生产需求。

更重要的是，它突破了光学衍射的限制，理论上可以做到2纳米的精度，这是中国光刻机领域里程碑式的突破

PL-SR还做了大量创新，采用了喷墨涂胶技术，可以动态调整胶水的用量，确保图案的清晰度。

它的残余层厚度能够控制在10纳米以内，深宽比达到7:1，这个精度已经可以和ASML的EUV光刻机相媲美。

更关键的是，设备在生产过程中不需要真空环境，这大大降低了操作的复杂性。

而且相比起传统光刻机更换电路图案需要重新设计光路，而纳米压印只需要更换模板，就能生产不同类型的芯片，非常灵活

存储芯片是中国芯片产业的重点领域之一。

PL—SR不仅能满足企业需要的精度，还能大幅降低生产成本，大大增加中国存储芯片在全球市场上的竞争力

这样的灵活性可以帮助中国企业先在存储芯片领域站稳脚跟，再逐步挑战更复杂的逻辑芯片。

除了存储芯片，这台光刻机还能用于功率半导体、硅光芯片和AR微显示芯片的生产。

这项突破的意义不仅仅是一台设备，它代表了中国芯片产业的“换道超车”策略。

面对ASML和佳能的技术封锁，中国选择了一条不同的技术路线，就像我们的空间站一样，走出一条新的康庄大道。

PL-SR的问世也直击西方要害，这也意味着西方能对我们科技封锁的范围越来越窄，尤其是在高端芯片领域

尽管PL-SR的交付令人振奋，但纳米压印技术仍有自己的局限性。

它在逻辑芯片的量产效率上还难以与EUV光刻机抗衡。

逻辑芯片的电路图案复杂，模板需要频繁切换，生产速度会受到限制。

目前，PL—SR的对准精度要满足最顶尖芯片的需求，还需要达到1纳米级别。

未来的路还很长，但PL-SR的出现已经让人们看到了希望，相信不久的将来，我们能再听到芯片行业的好消息。

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