中国EUV光刻机可能有ASML一代水平

EUV光刻，电子束光刻机进展到0.6纳米，可以制造EUV掩膜版。

EUV光源，能到第二代250瓦一半水平，学ASML有120多瓦和哈工大有80瓦。当时ASML用LPP方案，没用哈工大那类-电磁加上激光激发等离子（LDP)。

试验的2021年就有50瓦，产率是10片。