北京元芯等取得窄带隙半导体晶体管及其制备方法相关专利

金融界2025年8月12日消息,国家知识产权局信息显示,北京元芯碳基集成电路研究院、北京大学、北京华碳元芯电子科技有限责任公司取得一项名为“一种窄带隙半导体晶体管及其制备方法”的专利,授权公告号CN113764586B,申请日期为2020年06月。

本文源自金融界

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更新时间:2025-08-14

标签:科技   窄带   晶体管   北京   半导体   专利   金融界   国家知识产权局   北京大学   集成电路   研究院   本文

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