就在深夜(6号晚),全球存储芯片市场一个比较大的消息:
1、美光科技,再创历史新高,总市值突破3700亿美元。
2、西部数据旗下的闪迪(SanDisk)盘中大涨23%,创下十个月以来最大单日涨幅!
从产业链上看,这不是消息面的影响,而可能是一场由AI驱动、供需重构、技术跃迁共同影响的结构性机会。

很多人误以为AI只是让DRAM“多用一点”。
但其实不止,AI或许彻底改变了存储的技术形态、价值密度和客户关系。
以HBM(高带宽内存)为例:
传统服务器DRAM单价约5–7美元/GB。
HBM3E当前价格已达 32–38美元/GB(TechInsights, 2025Q4),即将量产的HBM4,预计单价将突破 45美元/GB,是普通DRAM的6–8倍。
更重要的是,HB短期无法用普通DRAM替代。它需要12层以上TSV堆叠,与GPU/CPU共封装(如CoWoS、InFO),精密热管理与电源设计。

这方面带来的结果?
美光已锁定2026–2028年HBM产能的70%以上,主要来自英伟达、微软、Meta等头部AI。据公司最新披露,其数据中心业务毛利率为49%,高于过去五年均值。
如果说美光代表的是高端AI存储的崛起,那么闪迪的上涨,则可能是另一个被忽视的信号:消费级NAND闪存市场正在同步复苏。
2025年全年,智能手机、PC、数据中心SSD需求持续回暖,叠加原厂主动控产,NAND价格自Q3起连续多个季度上涨。
作为全球NAND技术的之一,闪迪是高端消费存储(如UFS、microSD、SSD主控)的核心资产之一。
从这方面来看,受益于NAND供需改善+AI终端设备放量,消费与企业级存储双线回暖。
另外HBM4、200+层NAND、GDDR7等新技术的研发周期长达2–3年,良率爬坡需6–12个月。中小厂商难以跟进,行业集中度进一步提升。

这种转变,或许会让存储芯片行业估值逻辑或随之调整,
从产业链上看,或许可以跟踪:
1、掌握“系统级集成能力”的方向
HBM的本质,早已不是一颗独立芯片,而可能是算力系统的有机组成部分。
它的性能发挥高度依赖与GPU、先进封装、电源管理的协同设计。
因此,能提供“HBM + 封装 + 接口 + 热仿真”整体解决方案的厂商,或许具备的增长逻辑。
2、技术跃迁的关键环节
AI对存储的拉动,并非均匀分布。真正稀缺的高端存续芯片,也就是那些处于代际跃迁临界点、产能扩张受限、验证周期极长的关键环节。
比如HBM堆叠层数从8层迈向12层甚至16层,对深宽比刻蚀精度提出纳米级要求,设备与工艺know-how高度集中。
或者HBM中介层(interposer)需使用ArF浸没式光刻,材料纯度与膜厚控制容错率极低。
这些环节的共同特征是:资本开支大、人才稀缺、客户认证周期长达12–18个月。一旦突破,便可能形成天然护城河。

3、下游需求供应链
除了数据中心HBM,还有智能汽车、消费电子、人形机器人,那么哪些原本进入核心产业链的公司。
当前,存储行业的投资逻辑正在经历一场静默的范式迁移,过去看价格弹性,现在看技术刚性。
这方面来看,存储芯片或许值得我们持续跟踪。

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更新时间:2026-01-07
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