Rapidus官宣：2027财年启动1.4纳米级晶圆厂建设，2029年量产

2025年11月25日，日本本土半导体企业Rapidus宣布，该公司将于2027财年启动下一代1.4纳米级晶圆厂建设，预计2029年在北海道千岁市实现量产。

Rapidus的发展获得日本多家行业巨头的鼎力支持，包括丰田、索尼、NTT、NEC、软银等企业，以及私人金融机构的融资。 此外，日本政府通过补贴和直接财政注入，为这家2022年成立的初创企业提供强大后盾。目前，Rapidus已获得总计1.7万亿日元（约合110亿美元）的资金承诺，其中政府补贴占比最大。

未来数月内，还将有数千亿日元的追加资金陆续到位，总投资规模预计达7万亿日元。 这些资金将用于北海道工厂的扩建、设备采购和技术研发，确保Rapidus在全球半导体供应链中占据一席之地。

尽管资金充裕，Rapidus仍面临多重严峻考验，必须与台积电、三星电子和英特尔等行业巨头展开激烈竞争。英特尔已启动其18A制程的量产工作，并计划在2025年全面发力； 台积电则受AI数据中心强劲需求驱动，加速美国亚利桑那工厂的最新制程量产计划，其2纳米工艺（N2）预计2025年底进入高量产。

相比之下，Rapidus的2纳米制程预计最早于2027年下半年在千岁工厂实现量产，整体落后于竞争对手约2至3年。

更棘手的是，所有领先代工厂在量产先进制程前均遭遇良率难题。比如，三星的3纳米工艺曾因良率不足而延误客户订单，英特尔也曾在10纳米节点上挣扎多年。

这意味着Rapidus很可能面临类似的技术瓶颈，包括晶体管密度优化、功耗控制和极紫外光刻（EUV）设备的集成挑战。 此外，Rapidus在供应链稳定性和人才储备上也处于劣势，其初期产能仅规划为每月2.5万片晶圆，远低于台积电的10万片以上。

尽管在2纳米制程上处于追赶位置，Rapidus仍坚定推进更先进节点的研发。除了北海道工厂计划量产的1.4纳米芯片，该工厂未来可能进一步投产1纳米级芯片，进一步拉近与台积电的差距。

据悉，Rapidus的北海道工厂已于2025年4月启动2纳米试产线，并于年底接收ASML的EUV设备。 如果能克服良率和产能瓶颈，该项目预计将为北海道经济贡献18.8万亿日元，并吸引全球AI企业合作。

总体而言，Rapidus的1.4纳米计划凸显日本在半导体领域的雄心，但成功与否取决于技术突破和市场验证。客观而言，有成功的可能性，但是同样存在诸多不确定性因素和挑战。小编将在第一时间分享更多相关最新动态和爆料，敬请关注。