中国“杀疯了”！真让我们造出来了，新型光刻机，将引发技术革命

2019年那会儿，美国那边开始搞出口管制，把华为列入什么实体清单，这事儿闹得沸沸扬扬。荷兰的ASML公司，本来是中国企业买极紫外线光刻机的主要来源，结果被卡住了脖子，不能卖给中芯国际这些厂家。那些设备是生产7纳米以下芯片的关键家伙事儿，没了它，国内的先进芯片生产线就得停摆。成本蹭蹭往上涨，企业只能靠库存和二手货凑合，产量直线下降。

2020年，美国又加码，禁令扩大到更多半导体材料和技术，搞得整个产业链都乱套。手机、电脑这些东西的制造直接受影响，国内市场供应紧张，大家都觉得这事儿得自己想办法解决了。

国家层面的反应挺快的。2021年3月，“十四五”规划出来，把集成电路当成重点，强调要自主化。资金砸了不少，数百亿元投进去，支持大学和研究所搞基础研究。清华大学工程物理系唐传祥教授的团队，早从2017年4月就上手了稳态微聚束的理论分析和模拟。他们选了同步辐射这条路，来替代传统的EUV光源方案。为什么这么干呢？因为传统激光等离子体光源功率有限，稳定性也不够高，而SSMB能产生高平均功率的极紫外线辐射，波长能到13.5纳米，正好对得上光刻机的需求。

团队先从数值模拟入手，用电脑模型算电子束在存储环里的行为。存储环设计成直径45米左右，里面放波动器来生成辐射。2018年，他们借合肥的同步辐射光源做初步测试，设备有激光调制器和电子枪。电子束被激光照射后，形成微小聚束，但长度控制在纳米级，稳定性差劲。团队反复调参数，优化束团间距。2019年管制一来，研究节奏加快，国家自然科学基金委给了额外支持。2020年，建了个小型装置，测试辐射波动，通过能量回收组件来稳住功率。

国际合作也没落下。2021年2月24日，和德国亥姆霍兹柏林中心还有物理技术联邦研究院联手，用他们的计量光源设备操练。电子束在48米周长的环里循环，激光调制出脉冲辐射，波长接近EUV范围。这次实验验证了基本机制，辐射输出有激光特征。数据分析了横向尺寸对带宽的影响，回国后扩展模拟，算1安培电流下的微束形成。装置加了真空系统和诊断工具。2021年3月，论文在国际期刊上发，详细讲实验步骤。国内媒体一报道，更多机构跟进。清华大学申请了专利，盖住微聚束生成方法。

资金源源不断，2022年升级合肥设施，加存储环组件。每周测好几次束流，问题冒出来，比如电子散射掉功率。他们加磁铁阵列控轨迹。2023年，和雄安新区聊选址，规划大环形加速器。地块挑电力足、屏蔽好的地方。团队分头干，光源组和光刻胶组并行。美国禁令扩展到日本韩国，中国企业像华为开始自研设备。清华大学给企业技术咨询。2024年，模拟优化完，辐射效率提上来。测试不同波长，确认EUV适用。国际会议分享，引来海外目光。国内政策加持，预算翻倍。

禁令下，芯片进口成本涨三成多。企业转28纳米以上制程，但高端应用卡壳。团队咬牙实验，2025年初，整合激光诱导等离子体系统。锡靶汽化后高压放电，出EUV光。测试稳了，支持连续跑。产业链拉紧，镜片厂供高反射件。努力堆积，从 lab 到应用转移。数据每步记，确保能复现。资金用得明明白白，上报相关部门。2025年中期，原型测成，功率近目标。合作扩到其他大学，共享代码。禁令还在，但本土创新没停。芯片自给率从2020年不到20%爬到2025年近40%。

研发路上磕磕绊绊，设备坏了修，修了坏，反复调试。设计改，波动器尺寸缩。2025年7月16日，光刻胶成果在《科学进展》上公布，聚碲氧烷材料曝光时Te-O键易断，吸收EUV高效，支持精细图案。分辨率到2纳米。同期，系统集成，EUV光模拟加工芯片。数据显，产量潜力超传统。

这些事儿连起来，从被限到自立。团队严谨，日志备份全。政策导资源集中。芯片生态变，企业订单多。国际复杂，但国内稳。