【成员动态】北方华创两款化合物外延设备通过龙头客户验收

7月1日，#北方华创 披露，其自主研发的两款MOCVD（金属有机物化学气相沉积）外延设备——Satur N800和Satur V700顺利通过行业龙头客户验收，并获得批量重复订单。

MOCVD设备是一种以金属有机化合物为原料，通过气相外延生长技术来制备高质量薄膜材料的先进设备。其核心优势在于能够在原子级别对复杂材料进行精准操控，实现纳米级别的精度控制以及量子级别的界面调控。为了保障生长过程中材料的纯度和生长的稳定性，该设备配备了高真空环境以及高精度的温控系统，从而确保薄膜材料的高质量生长。

图片来源：北方华创

图为北方华创化合物半导体设备布局

北方华创自2010年启动外延装备研发以来，已积累了十余年的技术沉淀与创新突破。公司在硅薄膜外延设备领域实现了从4英寸到12英寸的全覆盖，产品涵盖8英寸及以下的单片及多片大产能硅外延设备、12英寸硅外延设备，并累计销售突破千腔，取得了多项技术创新和产业化成果。

凭借在硅外延设备领域的深厚积累，北方华创积极拓展#化合物半导体 外延设备研发，形成了GaN（氮化镓）、GaAs（砷化镓）、SiC（碳化硅）等化合物半导体材料外延设备的系列化产品，为宽禁带半导体产业的快速发展提供了关键的国产化装备支持。

北方华创的GaN MOCVD外延设备Satur N800，专为8英寸硅基氮化镓功率器件设计，具备大面积均匀温度场、稳定气流场、多片式大产能和自动化配置，满足外延层高要求，已在国内多家客户稳定运行并批量出货。

图片来源：北方华创

图为Satur系列MOCVD设备

GaAs MOCVD外延设备Satur V700，突破关键技术，具备高均匀性、大产能、低成本优势，适用于Micro LED、射频、光电子等领域，已批量出货并获客户重复订单。

SiC外延设备MARS iCE115/120S，工艺调试简单，维护便捷，迅速占领市场。其中MARS iCE120S兼容6/8英寸SiC外延，具备C2C能力，为SiC产业过渡期提供良好选择。

根据北方华创2024年年度报告及2025年一季度财报显示，北方华创半导体设备收入持续强劲增长。其中，SiC外延设备作为公司重要增长点之一，受益于新能源汽车和工业电源对SiC器件的强劲需求，其市场份额进一步扩大，获得了多家头部SiC制造企业的订单及重复采购。公司产品，特别是MARS iCE120S在兼容6/8英寸SiC外延方面的优势，持续助力客户产能升级。

来源：集邦化合物半导体

*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。