广东电网珠海供电局等申请SiC MOSFET的电路仿真模型构建方法及装置专利，解决对第三象限特性建模准确度不高问题

金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，广东电网有限责任公司珠海供电局、西安交通大学申请一项名为“SiC MOSFET的电路仿真模型构建方法及装置”的专利，公开号CN120409398A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明公开了一种SiC MOSFET的电路仿真模型构建方法及装置，用于解决当前在对SiC MOSFET进行建模时对第三象限特性建模的准确度不高、模型收敛性较差的问题。所述方法包括：获取SiC MOSFET的模型电路结构及第三象限工作数据点集合；根据预设的模型表达式对第三象限工作数据点集合进行基于电压比对的反向电流拟合，获得模型表达式的各拟合系数；根据模型电路结构、第三象限工作数据点集合、模型表达式及各拟合系数，构建SiC MOSFET的电路仿真模型。

本文源自金融界