罗姆申请SiC半导体装置专利，SiC半导体装置包括具有特定结构的SiC层及导电区域

金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，罗姆股份有限公司申请一项名为“SiC半导体装置”的专利，公开号CN120419309A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，SiC半导体装置包括：第一导电型的第一SiC层，其具有沿层叠方向的第一轴通道；第一导电型的第二SiC层，其具有沿上述层叠方向的第二轴通道，且层叠在上述第一SiC层之上；第二导电型的第一区域，其在上述第一SiC层内沿上述第一轴通道延伸；以及第二导电型的第二区域，其在上述第二SiC层内沿上述第二轴通道延伸，且在上述层叠方向上与上述第一区域重叠。

本文源自金融界