索泰克公司等申请用于稳定半导体材料表面方法专利，防止形成台阶和/或珠状物

金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，索泰克公司、法国原子能和替代能源委员会申请一项名为“用于稳定半导体材料表面的方法”的专利，公开号CN120418926A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本发明涉及一种用于稳定半导体材料(特别是单晶半导体材料)表面以防止形成台阶和/或珠状物的方法，所述方法包括在大于或等于80kPa(800毫巴)的压力下在所述表面上以气相形成玻璃质碳层(30)。

本文源自金融界