上海集成电路制造创新中心等取得半导体器件沟道结构制作方法专利

金融界2025年8月15日消息,国家知识产权局信息显示,上海集成电路制造创新中心有限公司;复旦大学取得一项名为“半导体器件的沟道结构的制作方法”的专利,授权公告号CN114937700B,申请日期为2022年06月。

本文源自金融界

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更新时间:2025-08-16

标签:科技   沟道   制作方法   集成电路   上海   专利   结构   半导体器件   中心   金融界   国家知识产权局   复旦大学   本文   日期

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