消息称 Solidigm 推进下代闪存开发：~250 层堆叠，仍为 FG 架构

IT之家 10 月 2 日消息，韩媒 the bell 韩国当地时间 9 月 30 日报道称，SK 海力士旗下的 NAND 闪存企业 Solidigm 正积极推进下一代 NAND 闪存介质的开发，目标是在明年实现商业化。

Solidigm 目前是唯一一家使用 FG（浮动栅极）而非 CTF（电荷捕获）架构的主要 NAND 原厂，其目前最先进的 NAND 是 192 层 QLC。

传统声音认为，FG 的堆叠层数提升潜力有限，难以扩展到 200 层以上。不过 Solidigm 成功克服了技术上的挑战，其下代产品的堆叠将达到 200 层中段（IT之家注：即 250 层左右），并以在 AI SSD 需求中愈发重要的 QLC 作为单元设计类型。

对于 Solidigm 而言，延续 FG 技术路线不仅能持续供应差异化的 NAND 产品，也避免了转型 CTF 所需要的大额设备支出。