昆明理工大学等取得基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜及其制备方法专利

金融界2025年5月27日消息，国家知识产权局信息显示，昆明理工大学、国网上海能源互联网研究院有限公司、哈尔滨众达电子有限公司取得一项名为“一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜及其制备方法”的专利，授权公告号CN111747377B，申请日期为2020年07月。

本文源自金融界