内存的瓶颈,早已不在 DRAM 单元

当制程缩放收益持续递减


先进封装开始接管性能边界


这段时间,小编在反复梳理内存技术的演进路径时,一个变化越来越清晰:真正决定内存性能边界的,已经不只是 DRAM 单元本身。


当制程缩放的收益持续变小、功耗与带宽压力同步放大,内存系统的提升开始越来越依赖一个过去被视为“配套”的能力——先进封装。


SK hynix 海力士 这份材料里,小编看到的并不是某一代 HBM 的技术细节,而是一种更底层的判断:内存正在从“器件产品”,转变为“系统组件”。无论是 HBM 的 3D 堆叠,还是向 hybrid bonding、2.5D/3D 异构集成延伸,本质上都是通过封装,重新定义内存与计算之间的边界。

也正是在这个背景下,小编逐渐意识到:所谓 “Beyond Memory”,并不是脱离内存,而是内存必须借助先进封装,才能继续突破带宽、能效和系统扩展性的限制。

这篇文章,小编想从这个趋势出发,拆解为什么先进封装正在成为内存技术的新主战场,以及它将如何重塑未来的计算系统架构。

一、这份材料真正想说明什么?

在“Beyond Memory”时代,性能提升的主战场已经从单一存储器件,转向以 HBM 为核心、由先进封装驱动的系统级异构集成;先进封装不再是配套环节,而是决定内存与计算系统能否继续扩展的关键技术基础。

SK hynix 这份报告,并不是单纯介绍 HBM 或某一代封装方案,而是在回答一个更根本的问题:

当晶体管缩放与传统内存架构逼近极限,性能、带宽、能效还能靠什么继续提升?

给出的答案非常明确:


靠先进封装,把“Memory”变成“System”的一部分。


这也是标题里 “Beyond Memory” 的真正含义:


不是“不做内存”,而是内存必须通过封装与系统架构升级,才能继续释放价值


二、从 Moore’s Law 到 Heterogeneous Integration


报告一开始就回到 Moore 本人对产业的原始判断:

这也引出了 SK hynix 的核心逻辑转换:

三、HBM:先进封装时代的“范式样本”


报告用大量篇幅讲 HBM,不是为了讲产品,而是因为:

HBM 是第一个“完全由先进封装定义能力边界”的主流内存形态。

几个关键事实反复被强调:

换句话说:


没有先进封装,就不存在 HBM 这种内存形态。



四、HBM 的真正挑战:封装,而不是 DRAM 单元


报告非常明确地指出:

尤其是在 HBM4 及以后:

这背后传递的是一个非常清晰的判断:


HBM 的竞争力,越来越由封装工艺窗口决定。


五、Beyond Memory:HBM 只是起点


在报告后半部分,SK hynix 把视角拉得更远:

1️⃣ Hybrid Bonding 的外延

2️⃣ CXL、PIM:封装决定系统形态

这些“Beyond Memory”的应用,本质上都是:


用封装重构内存与计算的边界。


六、这份报告的底层判断


综合全文,SK hynix 真正想说的,并不是:

“我们在封装上做得很强”

而是一个更底层、也更长期的判断:

当 SRAM、DRAM、I/O、功耗同时逼近物理与经济极限,先进封装将成为系统继续扩展的“第一性工具”。

在这个意义上:


七、小编总结

内存性能的未来,不再由单一器件决定,而是由先进封装所构建的系统架构决定。

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更新时间:2026-01-28

标签:数码   瓶颈   单元   内存   先进   系统   边界   缩放   架构   报告   带宽   性能   形态

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