爱思开海力士申请半导体装置和制造方法专利，提高半导体装置性能

金融界2025年5月7日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置和制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN119947098A，申请日期为2024年2月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置可包括层叠的第一栅极线、层叠的第二栅极线、延伸穿过第一栅极线和第二栅极线的沟道结构、延伸穿过第一栅极线并且分别连接到第一栅极线的前表面的第一接触插塞以及延伸穿过第二栅极线并且分别连接到第二栅极线的后表面的第二接触插塞。

本文源自金融界