广芯微电子取得碳化硅高压MOSFET优化方法及系统专利

金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，浙江广芯微电子有限公司取得一项名为“碳化硅高压MOSFET的内部电场分布优化方法及系统”的专利，授权公告号CN119940262B，申请日期为2025年04月。

天眼查资料显示，浙江广芯微电子有限公司，成立于2021年，位于丽水市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5545.4545万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江广芯微电子有限公司参与招投标项目30次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息30条，此外企业还拥有行政许可6个。

本文源自金融界