光刻技术垄断的演变

全球半导体供应链正面临深刻调整，早在几年前，这一技术还被视为中国芯片产业的瓶颈，如今通过持续努力，已逐步形成完整链条。

光刻机作为半导体制造的核心设备，长久以来由少数国家掌控。20世纪80年代起，荷兰ASML崛起，凭借极紫外光刻技术垄断高端市场。日本尼康和佳能曾在浸没式光刻领域领先，但逐步让位于ASML的集成优势。

到2010年代，ASML的极紫外设备成为7纳米以下制程的必需品，日本则在光刻胶和材料上占据九成份额，德国提供精密镜片，美国掌握光源技术。这种多国协作模式，让光刻机成为西方技术集大成者。

而中国早期依赖进口，2020年时，为ASML组装的光刻机出货量占全球两成。在这阶段，中国企业通过代工积累经验，同时启动本土研发。2022年，美国光刻胶企业CEO公开表示，中国难以突破极紫外能力。但同期，中国已开始布局多条技术路线，包括传统深紫外和新兴纳米压印。

中国多路径技术突破

2023年，美荷日加强出口管制，限制对华供应先进光刻设备。2024年，光刻胶自给率从15%升至32%，多家企业如南大光电在高端材料上取得进展。进入2025年，突破密集显现。哈尔滨工业大学与国仪超精密合作的光源产线进行试运行，输出稳定功率，支持原型测试。到了7月，日本《日经亚洲》报道指出，中国可能继荷兰和日本后，成为第三个独立制造光刻机的国家。

8月，璞璘科技交付PL-SR系列纳米压印设备，线宽小于10纳米，应用于存储和先进封装领域。同月，浙江大学推出羲之电子束光刻机，精度达0.6纳米，已进入应用测试。

12月，芯上微装科技交付AST6200型步进光刻机，套刻精度80纳米，国产化率达到83%，兼容第三代半导体材料。

这些进展并非孤立，而是形成互补体系，传统路线稳固成熟制程，新兴路径绕开瓶颈。

产业链自立

随着2025年推进，中国半导体设备进口仍高，但本土替代速度加快。日本实施光刻胶配额制，延长交货期，进一步推动中国自研。光刻胶自给率预计明年破40%，产业链门类趋于齐全。

从成熟芯片占全球需求七成入手，中国正从低端向高端延伸。先进封装技术已经领先，通过堆叠集成延续摩尔定律。

台湾专家认可中国产业链基本完备，只剩少数环节待补。荷兰和日本依赖外部协作，中国则依托本土资源，有望实现真正独立制造。

随着氮化镓等材料掌控加强，中国将在半导体领域发挥更大作用，推动科技强国建设。