SK海力士HBM4技术可堆叠至16层，将于2025年下半年量产

在台积电北美技术研讨会上，SK海力士通过展示HBM4工艺和几款新产品，表明其 “AI 内存”领导地位。据称，该公司已经准备好了一款商业化的HBM4工艺，而竞争对手美光和三星仍处于样品阶段。

SK海力士展示了其HBM4工艺，并简要介绍了规格。HBM4的容量高达48 GB，带宽为2.0 TB/s，I/O速度为8.0 Gbps。SK海力士宣布计划在2025年下半年实现量产，这意味着该工艺最早可能在年底前集成到产品中。

此外，SK海力士还展示了全球首款带宽为1.2 TB/s 的16层HBM3E，预计将集成到英伟达的GB300“Blackwell Ultra”AI 集群中，因为英伟达计划在Vera Rubin中过渡到HBM4。SK海力士表示通过先进的MR-MUF和TSV技术实现了这么多层的连接，这使他们成为这些技术的先驱。

除了HBM，SK海力士还展示了一系列旨在提升AI和数据中心性能并降低功耗的模块。这些模块包括速度为12.8 Gbps、容量为64 GB、96 GB和256 GB的MRDIMM产品线；速度为8 Gbps、容量为64 GB和96 GB的RDIMM模块；以及一款256 GB的3DS RDIMM。基于更新的1c DRAM标准构建的高性能服务器模块，速度已达到12,500 MB/s。

通过推动创新并与英伟达等公司建立合作伙伴关系，SK海力士目前在HBM和DRAM市场上超越了三星等长期竞争对手。