三星激进投资HBM4，押注1c DRAM挑战SK海力士霸主地位

IT之家 5 月 23 日消息，HBM4 已成为内存巨头的新竞技场，三星正通过激进投资缩小与 SK 海力士的差距。科技媒体 ZDNet Korea 昨日（5 月 22 日）报道称，三星计划在韩国华城和平泽扩大 1c DRAM（第六代 10nm 级）生产，相关投资将在年底前启动。

IT之家援引博文介绍，SK 海力士和美光选择 1b DRAM 作为 HBM4 的基础技术，而三星大胆押注更先进的 1c DRAM，表明三星有信心提升 1c DRAM 良率。

此外还有消息称，三星还考虑在今年底前将华城 17 号生产线从 1z DRAM 转为 1c DRAM 生产，以进一步扩大产能。

该媒体指出，三星今年早些时候已在平泽第四园区（P4）启动首条 1c DRAM 生产线，目标月产能为 3 万片晶圆。若后续扩建顺利，月产能有望提升至 4 万片。

韩媒 Chosun Biz4 月报道，三星用于 12 层 HBM4 的关键组件 ——4nm 逻辑芯片，已在测试生产中实现超过 40% 的良率。

集邦咨询 TrendForce 预测，受强劲需求推动，2026 年 HBM 总出货量将突破 300 亿吉比特，HBM4 将在 2026 年下半年超越 HBM3e，成为市场主流解决方案。