南昌大学等取得氮化镓基垂直结构发光二极管及其制造方法专利

金融界2025年7月8日消息,国家知识产权局信息显示,南昌大学、南昌硅基半导体科技有限公司取得一项名为“氮化镓基垂直结构发光二极管及其制造方法”的专利,授权公告号CN114530535B,申请日期为2022年01月。

本文源自金融界

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更新时间:2025-07-10

标签:科技   氮化   南昌大学   专利   结构   方法   金融界   国家知识产权局   科技有限公司   南昌   半导体   本文   日期

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