三星电子确认加入SOCAMM内存模块战场

三星电子透露已开发出基于LPDDR DRAM的新型服务器内存模块SOCAMM2。

三星电子在其最新发布的2025年度可持续发展报告中透露，公司已开发出一种基于LPDDR DRAM的新型服务器内存模块——SOCAMM2。目前尚不清楚“SOCAMM2”名称中的“2”具体代表何种含义，是SOCAMM规范本身的版本升级，还是与“CAMM2”或“LPCAMM2”中的“2”一致，表示属于第二代CAMM系列产品。

尽管由于某些主板设计上的变化，例如英伟达GB300 “Blackwell Ultra”平台的调整，SOCAMM内存模块短期内可能不会实现商业化应用，但这一技术依然具备广阔的应用前景。据悉，它有望成为Vera Rubin平台的一部分，为Vera CPU提供一种非板载式、更灵活且便于维护的内存解决方案。

从规格上看，SOCAMM内存模组单条支持128bit位宽，采用了单面四个颗粒焊点和三个固定螺丝孔的结构设计。相比LPCAMM2，其外形更加紧凑整齐，有利于在服务器环境中进行大规模部署，并提升整体散热效率。

SOCAMM即Space - Optimized CAMM（空间优化内存模组技术），是由英伟达主导研发的面向AI计算、HPC、数据中心等领域的高密度内存解决方案。SOCAMM原定是英伟达GB300 Superchip改进型Cordelia主板设计的一部分。但由于GPU子板信号稳定性、以及SOCAMM的散热可靠性等问题，最终英伟达GB300主板设计沿用了成熟的Bianca形式。

不过，在下一代GB300服务器中，英伟达会采用SOCAMM设计，采用4颗LPDDR组成的SOCAMM模块，共4组。

目前的SOCAMM模组基于LPDDR5X DRAM芯片。与先前的LPCAMM2模组相似，SOCAMM同样采用单面四芯片焊盘、三固定螺丝孔的设计。然而，与LPCAMM2不同的是，SOCAMM的顶部没有凸出的梯形结构，这降低了其整体高度，使其更适合服务器安装环境和液体冷却系统。

SOCAMM尺寸仅为行业标准DDR5 RDIMM的约1/3，而得益于高速的LPDDR5X和更宽的位宽，SOCAMM在相同容量下带宽可达到2.5倍，功耗仅为传统方案的1/3。业内推测其采用了chiplet设计和混合键合技术，将DRAM裸片与逻辑控制器集成在单一封装内。同时，它还采用可拆卸设计，便于用户对内存模块进行灵活升级和更换，解决了传统板载内存成本高昂、缺乏灵活性和不支持升级的问题。

美光此前宣布SOCAMM解决方案已实现量产，通过使用4颗16-die堆叠的16Gb LPDDR5X颗粒，实现了128GB容量。并结合128-bit位宽和8533MT/s速率，为更快的AI模型训练和更高的推理并发用户量提供了关键支持。美光宣称：“我们是第一家与英伟达合作，并率先大规模生产SOCAMM的企业。”该内存条将被应用于英伟达GB300 Grace Blackwell Ultra超级芯片，并预期将作为Grace CPU的可更换内存使用。

SK海力士也在公开场合展示了其SOCAMM产品。据介绍，SK海力士的SOCAMM单模块容量128GB，由容量为32GB的4颗芯片组成，采用16颗16Gb LPDDR5X记忆体芯片封装，并采用线键合工艺，而非HBM所使用的TSV工艺。数据传输带宽为120GB/s，尽管比传统服务器DRAM快2.5倍，但仍远低于HBM3E的1.2TB/s。SK海力士称，“SOCAMM已成为AI服务器存储器的新标准，我们将通过该产品展示AI存储器技术的领先地位。”

此前有消息称，英伟达可能将50%的SOCAMM订单交给美光，剩下的由三星和SK海力士平分。

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