界读丨台积电计划在2030年实现1nm以下工艺量产，外界质疑声不断

欧界报道：

据台媒最新消息报道，台积电在芯片技术方面又提出了新的目标，其计划在2030年量产1nm以下工艺，并且这一计划已经得到了支持。为了进一步强化台湾地区的半导体优势，台湾行政院科会办表示将提前布局十二寸晶圆制造的利基设备，争取在2023年前生产出1nm以下的半导体，为此行政院科会办正在规划推动发展高雄半导体材料专区，计划以台积电、日月光、华邦等半导体厂商为核心，建立南部半导体材料S廊带。

台积电是全球规模最大的晶圆代工商，不论是在芯片工艺方面，还是在芯片产能方面，台积电几乎都是排第一的。台积电是率先实现5nm工艺量产的半导体厂商，这是全球所能实现量产的芯片中工艺最先进的，虽然台积电最大的竞争对手三星电子也在同一年实现了5nm工艺的量产，但其良品率和台积电还是存在一定差距。除了5nm工艺，台积电目前已经在向3nm、2nm工艺挺进，并且均取得了一定的突破，在近五年内实现量产的可能性是很大的。从台积电所取得的一系列成就来看，其实力是不容小觑的。

对于台积电将在2030年实现1nm以下工艺量产一事，外界很多人都充满了期待，毕竟1nm以下工艺作为一项新的技术突破，对社会的发展将具有重大推动作用。当然，外界的质疑声也是不断的。众所周知，突破芯片技术并不是一件容易的事，不仅在技术研发方面需要投入巨大的精力，整个研发过程还必须不断投入大量资金，在人力、物力方面都将事巨大的消耗，更何况此次台积电想要突破的是埃米工艺。

不得不承认，台积电在芯片技术方面的发展确实很快，继去年实现5nm工艺量产后，台积电又开始加紧研发更加先进的工艺，表示将在今年推出改进后的5nm+工艺，而在3nm和2nm方面台积电也进入了研发阶段，3nm工艺预计在2022年实现量产，2nm工艺最快可在2024年问世。等到2nm工艺实现量产后，估计台积电的主要发展方向应该就是1nm以及1nm以下工艺了。

业界认为1nm工艺是很可能成为硅基半导体的终点，即当半导体厂商突破1nm工艺以后要想再突破更先进的工艺就必须采用全新的材料进行研发。比纳米更小的单位为埃米，就目前的技术来看，半导体厂商想要突破埃米工艺是一件极具挑战性的事。虽然埃米时代的到来意味着芯片的性能将得到前所未有的提升，功耗也将大大降低，但这些提升都决定了突破埃米工艺不会是一件简单的事。按正常的技术发展，半导体厂商想要在埃米工艺技术方面实现突破还有很长的路要走。

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