三星宣布将量产3nm工艺芯片 性能提升35%

韩国科技巨头三星在圣克拉拉举行的2019年SSF晶圆代工论坛上宣布，他们已于4月与客户分享3nm芯片工艺的设计套件。

与目前商用的7nm工艺相比，三星的3nm Gate-All-Around（GAA）晶体管工艺预计可节省45％的芯片面积，功耗降低50％，同时性能提高35％。

三星表示，这一工艺旨在帮助客户尽早开始设计工作，提高竞争力，同时缩短周转时间。

该公司还在活动现场展示了其三星高级代工生态系统云（SAFE-Cloud）计划。SAFE-Cloud是一个允许用户设计芯片的云平台。

三星将与亚马逊、Microsoft Azure合作其云服务，与Cadence和Synopsys合作电子自动化，以便客户通过云平台提高工作效率。

上个月，三星宣布成功开发5nm工艺，该工艺将于明年初商业化。他们表示还将部署突破性的28nm eMRAM，其写入速度将比eFlash快1000倍。

上个月，三星宣布将在未来十年内为其逻辑芯片投资133万亿韩元。该公司正与台湾巨头台积电（TSMC）展开激烈竞争，台积电是合约芯片制造的市场领导者，并通过部署5纳米等新工艺来获得市场份额。