3.3亿！又一项目即将动工！广东芯片迎来突破口？

今天，广东省又新增了一个碳化硅项目——志橙SiC研发制造总部项目。该项目总投资达3.32亿元，将于5月1日开工。

据“三代半风向”不完全统计，目前广东省共有8个第三代半导体项目，合计投资额超过80亿元，其中包括天域半导体、基本半导体、南砂晶圆、芯聚能等，还有2个第三代半导体基地项目。“三代半”将成为广东芯片的突破口？

志橙碳化硅项目过审

总投资3.32亿元

4月6日，志橙半导体SiC材料研发制造总部项目通过了广东省投资项目在线审批监管平台的复核，计划开工时间为2021年5月1日，项目计划2025年达产。

据了解，该项目于2020年11月28日签约，落户广州黄埔区永和街道，占地面积15276平方米，总投资额3.32亿元，固定资产投资额2.5亿元，项目达产产值约5亿元。

广州志橙半导体有限公司成立于2020年11月25日，是深圳市志橙半导体材料有限公司100%持股的子公司。据介绍，志橙半导体主要为集成电路制造的刻蚀、气相沉积工艺设备提供核心部件碳化硅石墨盘，它是国内石墨盘产业化的细分领域龙头企业，现已通过50多家半导体企业批量验证。

而这次过审的项目拟在广州建设SiC材料研发制造总部，主要从事半导体芯片制程用碳化硅等新材料、核心部件的生产和研发中心。

广东三代半项目情况

据“三代半风向”不完全统计，除了志橙的碳化硅项目外，目前广东还有7个第三代半导体项目，其中碳化硅项目5个，合计投资额超过36亿元；氮化镓项目2个，总投资额超过40亿元。

广东碳化硅项目方面情况，看下面↓↓↓↓

• 早在2012年初，东莞天域半导体就已具备年产2-3万片碳化硅外延晶片的产能。
• 2016年9月30日，中国第三代半导体产业南方基地正式落户东莞。根据规划，南方基地于2016年全面启动建设，2019年建成，2020年投产。
• 2018年9月，广东芯聚能半导体有限公司签订投资协议落户南沙，2019年9月，在广州南沙举行奠基活动。项目总投资达25亿元，第一阶段将建设用于新能源汽车的IGBT和SiC功率器件与模块生产基地，第二阶段将面向新能源汽车和自动驾驶的汽车功率模块、半导体器件和系统产品。
• 2020年7月8日，南砂晶圆碳化硅单晶材料与晶片生产项目在广州南沙区动工。该项目总投资9亿元，将开展碳化硅单晶材料研发、中试等工作，达产后年产各类衬底片和外延片共20万片。
• 2021年1月18日，深圳青铜剑第三代半导体产业基地已经完成奠基仪式，将建设总部、研发中心和车规级碳化硅功率器件封装线等，而深圳基本半导体有限公司是由青铜剑科技控股(持股约35.76%)。

广东氮化镓项目方面，看下面↓↓↓↓

• 2018年8月，深圳起草了《深圳市坪山区人民政府关于促进集成电路第三代半导体产业发展若干措施（征求意见稿）》，提出建设第三代半导体产业集聚区。并且给出了很多优惠政策，其中包括：每年统筹安排不少于5亿元资金专项支持集成电路产业发展；合作设立规模30亿元的集成电路基金；每家企业年度信贷资助金额最高200万元；对于落户坪山的集成电路设计、封装等企业，符合相关条件的，预计将给予每家企业最高1000万元的资助；对于区政府认定的集成电路公共服务平台，预计将按设备购置费用的50%，预计一次性给予最高2000万元资助；对于购买或使用EDA软件、IP的，利用公共平台采购IC设计服务、IP复用服务的，预计按实际发生费用的50%，计划给予年度最高300万元资助等。
• 2020年12月28日，西安电子科技大学第三代半导体创新中心签约落户广州黄埔。广州第三代半导体创新中心一期投资总额5亿元，计划在3年内分三期建成，聚焦大尺寸氮化镓材料外延生长、氮化镓微波毫米波器件与集成电路、氮化镓电力电子器件与集成电路等技术领域。