「热点资讯」2021年三季度第三代半导体前沿汇编

了解最新资讯，掌握市场行情，宽禁带联盟将以【热点资讯】专栏持续为大家呈现第三代半导体行业季度热点资讯，探索宽禁带半导体产业健康发展之路。

重大投融资及扩产要闻

1 中电科半导体材料有限公司南京外延材料产业基地项目签约落户南京市江宁开发区

9月27日，中电科半导体材料有限公司（以下简称电科材料）与南京江宁经济技术开发区在江宁会展中心举行隆重的签约仪式，南京外延材料产业基地项目成功落户江宁开发区。

2 斯达半导拟募资35亿元用于多项功率器件扩建项目

8月15日晚，斯达半导发布公告称，拟募资35亿元用于高压特色工艺功率芯片研发及产业化项目、SiC芯片研发及产业化项目、功率半导体模块生产线自动化改造项目以及补充流动资金。

3 昭和电工斥巨资扩产SiC

昭和电工宣布，将藉由公募增资、第三者配额增资筹措约1,100亿日圆资金，其中约700亿日圆将用于扩增SiC晶圆等半导体材料产能。

4 4.15亿美元，碳化硅半导体领域再现并购案

智能电源和传感技术的供应商安森美半导体(Onsemi)宣布收购碳化硅(SiC)供应商GT Advanced Technologies，交易金额为4.15亿美元。该交易已获得onsemi和GTAT董事会的一致批准，预计将于2022年上半年完成。

5 SK Siltron将在美国扩大SiC晶圆生产规模

韩国企业集团 SK 集团的美国子公司 SK Siltron CSS LLC 计划投资近 3.03 亿美元在密歇根州扩大 SiC 晶圆生产。密歇根州的经济发展局批准了近 600 万美元的激励措施。

6 第三代半导体龙头基本半导体完成C1轮融资

9月17日，专注于第三代半导体碳化硅功率器件的深圳基本半导体有限公司完成C1轮融资，由现有股东博世创投、力合金控，以及新股东松禾资本、佳银基金、中美绿色基金、厚土资本等机构联合投资。

7 Cree：全球最大SiC（碳化硅）晶圆厂明年上线！

科锐CEO Gregg Lowe 表示，科锐在第四季缴出强劲的营收成绩单，因为客户比原先预期更早、更显著地提高产量。科锐有望于2022年初让全球最大SiC（碳化硅）晶圆厂上线，进而享有未来数十年的成长机会。

8 全国首条第四代半导体生产线落地山西！

据山西经济日报报道，由晋城市光机电产业研究院引进的锑化物半导体项目已经进入试运行阶段，预计明年将达到1万支芯片的产能，将成为全国首条第四代半导体的生产线。

9 氮化镓厂商Transphorm宣布收购AFSW晶圆厂

据BUSINESS WIRE消息，氮化镓厂商Transphorm宣布，收购AFSW晶圆厂设施的100%权益。这笔交易标志着Transphorm及其现有的 AFSW 晶圆制造工厂向前迈出了一大步。据悉，这笔交易是通过GaNovation公司完成的，而GaNovation是Transphorm与JCP Capital最近成立的合资公司。

企业与市场动态

1 科锐GaN-on-SiC功率放大器结合MaxLinear线性化技术，高效赋能新型超宽带5G

此次成功合作结合了科锐 Wolfspeed® 碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）中频功率放大器和 MaxLinear 超宽带线性化解决方案（MaxLin），可实现突破性的性能表现。这一新型解决方案增加了 5G 基站的无线容量，能够支持更多的并发用户并提高了数据传输速度。

2 三安集成加速打造射频前端方案一站式代工平台

近日，三安集成取得全球知名手机代工厂商富智康集团的声表面波（SAW）滤波器订单，标志着三安集成滤波器业务在模块客户和手机厂商客户的全面突破。去年4季度开始，三安集成SAW和TC-SAW滤波器出货量迅速攀升，从季度出货10kk到今年二季度一跃至单月出货超过10kk。随着手机终端厂商也开始采用三安滤波器产品，未来将有更多手机机型在射频前端部件实现全面“Sanan Inside（三安赋能）”。

3 青铜剑第三代半导体产业基地正在加速建设

据深圳特区报报道，青铜剑第三代半导体产业基地项目已完成基坑建设，施工方开始建设主体。预计该项目2023年4月建成投产，届时碳化硅器件年产能将达200万只。

4 东芝新器件结构问世，可显著提高SiC MOSFET的性能

为解决碳化硅器件可靠性问题，东芝开发了一种新型SiC MOSFET[2]器件结构，可同时实现高温下更高可靠性和更低功率损耗。当采用新器件结构的3300V芯片处于175℃[3]，高温下时，其电流水平是东芝现有器件结构的两倍以上，新器件结构可在没有任何可靠性损失的情况下良好运行，而且在室温下，3300V芯片的导通电阻比现有器件降低约20%，1200V芯片的导通电阻比现有器件降低约40%。

5 泰科天润生产线已通线，已进入试生产阶段

2021年7月22日，中共长沙市委常委、市委统战部部长谭小平，长沙市委统战部副部长、市工商联党组书记何惠风，长沙市工信局三级调研员裘毅、长沙市委统战部、长沙市工信局相关工作人员，长沙电视台媒体者等一行莅临泰科天润考察调研。目前泰科天润生产线已通线，已进入试生产阶段，工艺设备调通，投片40工程批次以上，综合良率90%以上，预计9月份完成可靠性实验，批量化出货。

6 罗姆推出内置 SiC 二极管的新型混合 IGBT

ROHM 开发了集成 650V SiC 肖特基势垒二极管的混合 IGBT，即 RGWxx65C 系列（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR）。这些器件符合 AEC-Q101 汽车可靠性标准。它们非常适合处理大功率的汽车和工业应用，例如光伏电源调节器、车载充电器以及电动和电气化车辆 (xEV) 中使用的 DC/DC 转换器。

7 北京天科合达半导体股份有限公司入选国家工信部专精特新“小巨人”企业

工业和信息化部公示了国家第三批专精特新“小巨人”企业名单。北京天科合达半导体股份有限公司凭借突出表现，成功入选，获得国家级荣誉！

8 华微电子：积极布局，重点推进第三代半导体！

8月5日，华微电子在网上回复投资者提问。第三代半导体方面，公司正积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件技术，重点推进SiC SBD 产品和 650V GaN 器件的开发。IGBT方面，公司IGBT有产能的最高电压为1350V，在研的最高电压为3300V。华微电子作为功率半导体龙头，近年来也把目光转向了第三代半导体领域。

9 贺利氏电子加入美国电力研究所，助力宽禁带功率器件产业化

贺利氏电子（Heraeus Electronics ）是电力电子行业封装材料的全球供应商，已加入美国电力研究所（ PowerAmerica Institute），以推进宽带隙 (WBG) 半导体的使用。Heraeus Electronics 的技术专长和 Power America Institute 的行业联系将加速新材料的开发并支持电力电子行业的扩张。

10 比亚迪再创记录，碳化硅高歌猛进！

比亚迪汉第100000辆新车在深圳比亚迪全球总部重磅下线，成为产量最快突破10万辆的中国品牌中大型轿车。

11 士兰微上半年净利润暴增1306.52%！下半年将扩产多条生产线

2021 年上半年，公司营业总收入为 330,849 万元，较 2020 年上半年增长 94.05%；公司营业利润为 47,023 万元，比 2020 年上半年增加 50,099 万元；公司利润总额为 46,936 万元，比 2020年上半年增加 49,981 万元；公司归属于母公司股东的净利润为 43,082 万元，比 2020 年上半年增加 1306.52%。

12 罗姆与昭和电工强强联手，碳化硅热度高涨！

9月13日，昭和电工宣布与ROHM签订了功率半导体用SiC（碳化硅）外延片的多年长期供应合同。本次签订的合同是向制造SiC功率半导体的ROHM供应昭和电工制造的SiC外延片。

13 超51.9亿！ST与CREE扩大SiC长期供应协议

据科锐（Cree）官方消息，公司与意法半导体（ST）宣布扩大现有的多年长期碳化硅（SiC）晶圆供应协议。科锐将在未来数年向意法半导体供应 150mm SiC 裸晶圆和外延片，协议总金额将扩大至超过 8 亿美元（约合人民币51.95亿元）。

14 II-VI ，利用GE的专利武装碳化硅，瞄准汽车市场

II-VI 将使用通用电气 (GE) 专利的碳化硅 (SiC)产品瞄准汽车半导体和模块市场。该战略旨在响应对 SiC 功率半导体的需求，例如电动汽车充电器和电机，在航空领域具有久经考验的稳定性。II-VI 还宣布对 SiC 半导体和模块生产进行大规模投资。

15 盛美半导体推出首台应用于化合物半导体晶圆级封装的电镀设备！

8 月 26 日，半导体制造与先进晶圆级封装领域设备供应商，盛美半导体设备发布了新产品 ——Ultra ECP GIII 电镀设备，以支持化合物半导体 (SiC, GaN) 和砷化镓 (GaAs) 晶圆级封装。

16 比亚迪e平台3.0标配SiC电控，续航里程最大可突破1000km

9月8日，比亚迪正式发布e平台3.0，比亚迪表示，这是应对下一代电动车开发的专属纯电平台，拥有优异高带宽特性，轴距范围为2.5m至3.5m，为覆盖紧凑型到大型车的未来出行新物种，全系车型均搭配刀片电池，并标配全球首款联产八合一电动力总成，综合效率高达89%，百公里加速快至2.9s，续航里程最大可突破1000km。

17 英飞凌和松下加速 GaN 的发展

英飞凌科技公司和松下公司已签署一项协议，共同开发和生产第二代 (Gen2) 经验证的 GaN 技术，提供更高的效率和功率密度水平。英飞凌的高性能、高可靠性以及8英寸GaN-on-Si晶圆生产能力，标志着英飞凌对GaN功率半导体不断增长的需求进行了战略性拓展。

18 晶湛半导体再“升级”，国产12英寸1200V 氮化镓来了！

苏州晶湛半导体有限公司（以下简称“晶湛半导体”）展示了用于200V、650V和1200V电源应用的12英寸 GaN-on-Si 外延片。这为主流12英寸 CMOS兼容线上的HEMT晶体管生产铺平了道路。

19 吉利汽车集团与罗姆半导体集团缔结以碳化硅为核心的战略合作伙伴关系

中国领先汽车制造商吉利汽车集团（以下简称“吉利”）与全球知名半导体制造商罗姆半导体集团（以下简称“罗姆”）缔结了战略合作伙伴关系，双方将共同致力于汽车领域的先进技术开发。双方举行了战略合作协议线上签约仪式。吉利董事长安聪慧与罗姆董事长松本功出席签约仪式。

20 碳化硅代工龙头X-FAB与这家SiC企业达成长期战略合作

9月6日，模拟晶圆代工龙头企业X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）和国产SiC功率器件供应商派恩杰联合对外宣布，双方就批量生产SiC晶圆建立长期战略合作关系，此前双方已经合作近三年时间。

政策信息

1 工信部等十部门印发《5G应用“扬帆”行动计划（2021-2023年）》

工业和信息化部、中央网络安全和信息化委员会办公室、国家发展和改革委员会、教育部、财政部、住房和城乡建设部、文化和旅游部、国家卫生健康委员会、国务院国有资产监督管理委员会、国家能源局等十部门近日联合印发《5G应用“扬帆”行动计划（2021-2023年）》，明确到2023年，我国5G应用发展水平显著提升，综合实力持续增强。打造IT（信息技术）、CT（通信技术）、OT（运营技术）深度融合新生态，实现重点领域5G应用深度和广度双突破，构建技术产业和标准体系双支柱，网络、平台、安全等基础能力进一步提升，5G应用“扬帆远航”的局面逐步形成。

2 上海再出新政！加快第三代化合物半导体发展

上海市人民政府办公厅印发《上海市先进制造业发展“十四五”规划》，提出要推动骨干企业芯片设计能力进入 3 纳米及以下，加快第三代化合物半导体发展等。该规划提出，以自主创新、规模发展为重点，提升芯片设计、制造封测、装备材料全产业链能级。

3 广东“十四五”强“芯”规划：目标营收4000亿，设立首期200亿产业基金

8月9日，广东省政府召开发布会，正式发布了《广东省制造业高质量发展“十四五”规划》（以下简称《规划》）。《规划》提出，十四五时期，要继续做强做优战略性支柱产业，高起点培育壮大战略性新兴产业，谋划发展未来产业。

4 北京“十四五”高精尖产业规划发布

北京市政府印发《北京市“十四五”时期高精尖产业发展规划》。规划提出，到2025年，北京高精尖产业增加值占地区生产总值比重将达到30%以上，万亿级产业集群数量4到5个，制造业增加值占地区生产总值13%左右、力争15%左右，软件和信息服务业营收3万亿元，新增规模以上先进制造业企业数量达到500个。

5 工信部：将碳化硅复合材料等纳入“十四五”相关发展规划

8月24日，工信部答复“政协十三届全国委员会第四次会议第1095号（工交邮电类126号）提案称，将把碳化硅复合材料、碳基复合材料等纳入“十四五”产业科技创新相关发展规划。

重大行业技术突破

1 夏建白院士：超宽禁带半导体高效p型掺杂

超宽带半导体（UWBG）具有直接带隙可调、击穿电压高、化学稳定性好和热稳定性好等优点。然而大多数UWBG半导体都存在严重的掺杂不对称问题，即它们可以很容易地掺杂p型或n型，但不能同时实现两种掺杂。

提出了一种基于量子工程的非平衡掺杂方法，并成功应用于高Al组分AlxGa1-xN的p型掺杂。首先，通过第一性原理分析，揭示了该方法的物理过机制，然后对这一掺杂方案进行了系统实验研究和器件验证。他们通过非平衡掺杂技术将GaN量子点（QDs）嵌入Mg掺杂的AlxGa1-xN合金中，引入了局域高能级VBM。由于GaN量子点与AlxGa1-xN之间存在VBM带阶，激发电子从GaN的VBM跃迁到受主能级，激活能明显降低。本研究不仅可以提高超宽带氮化物光电器件的量子效率，而且为实现超宽带材料的高效掺杂提供了新的解决方案。

2 基于SiC的量子器件获重大突破！

中国科学院院士、中国科学技术大学教授郭光灿团队在碳化硅色心自旋操控研究中取得重要进展。该团队李传锋、许金时等人与匈牙利魏格纳物理研究中心教授Adam Gali合作，在国际上首次实现了单个碳化硅双空位色心电子自旋在室温环境下的高对比度读出和相干操控。这是继金刚石氮空位（NV）色心后第二种在室温下同时具有高自旋读出对比度和高单光子发光亮度的固态色心，该成果对发展基于碳化硅这种成熟半导体材料的量子信息技术具有重要意义。相关研究成果于7月5日在线发表在《国家科学评论》（National Science Review）上。

3 日本展示新型氮化镓MEMS谐振器，具有高温度稳定性

据麦姆斯咨询报道，近日，日本世界顶级计划材料纳米结构学国际研究中心（WPI-MANA）研究团队展示了一种具有高温度稳定性的氮化镓（GaN）MEMS谐振器，该谐振器具有高频稳定性、高品质（Q）因子、与硅基IC技术大规模集成的潜力。

4 世界首套！中国时速600公里的高速磁浮正式下线

我国在高速磁浮领域取得重大创新突破。7月20日，由中国中车承担研制、具有完全自主知识产权的我国时速600公里高速磁浮交通系统在青岛成功下线，这是世界首套设计时速达600公里的高速磁浮交通系统，标志着我国掌握了高速磁浮成套技术和工程化能力。

5 相得益彰：GaN在石墨烯上的外延生长

近日，吉林大学张源涛教授研究团队联合北京大学王新强教授、山东大学陈秀芳教授和郑州大学史志锋副教授成功在石墨烯/SiC衬底上实现了应变弛豫GaN薄膜的外延生长，并发现了其在长波长LED中的应用潜力。该研究表明，石墨烯插入层显著降低了GaN薄膜中的双轴应力，从而有效提高了其上InGaN/GaN量子阱中In原子并入，进而导致量子阱发光波长红移。该方法为解决外延材料与衬底之间的失配问题提供了新思路，有助于发展高性能长波长的氮化物光电器件。相关结果以“Demonstration of epitaxial growth of strain-relaxed GaN films on graphene/SiC substrates for long wavelength light-emitting diodes”为题发表于国际顶尖学术期刊《Light: Science & Applications》。

6 南科大马俊在新型多沟道氮化镓电力电子器件领域取得进展

南方科技大学电子与电气工程系助理教授马俊与瑞士洛桑联邦理工大学教授Elison Matioli、苏州晶湛半导体有限公司董事长程凯等团队合作，在Nature Electronics发表了题目为“Multi-channel nanowire devices for efficient power conversion”的研究论文，报道了基于多沟道技术和宽禁带半导体氮化镓（GaN）的新型纳米电力电子器件。该技术是电力电子领域和宽禁带半导体领域的重大进步，有望显著提升能量转换效率。

7 GaN 功率器件片内微流热管理技术研究进展

GaN 器件大功率､高集成度的发展受限于热积累效应引起器件结温升高问题， 严重导致器件性能和寿命衰减，使 GaN 器件的高功率性能优势远未得到发挥， 片内微流热管理技术是解决热瓶颈的重要途径｡针对上述问题， 详细论述了GaN 器件热瓶颈的基础问题和片内微流热管理的重要性，并对近年来国际正在开展的片内微流散热技术研究情况进行系统分析和评述，揭示了微流体与 GaN 器件片内近结集成的各类设计方法､工艺开发途径和面临的技术难点，阐述了 GaN 器件片内微流热管理技术的现状和发展方向｡

8 首批氧化镓单晶衬底！浙大杭州科创中心又迎新成果

浙江大学杭州国际科创中心成功获得首批氧化镓单晶衬底，这是继去年获得体块氧化镓单晶之后取得的又一个重要进展，标志着科创中心在材料加工领域具备高水平研究的能力。

9 氮化镓（GaN）射频器件为新一代雷达“猛虎添翼”

在军用市场，GaN 射频器件需求快速增长，根据《第3 代半导体发展概述及我国的机遇、挑战与对策》数据，仅战斗机雷达对GaN 射频功率模块的需求就将达到7500 万只。目前，美国海军新一代干扰机吊舱及空中和导弹防御雷达（AMDR）已采用GaN 射频功放器件替代GaAs 器件。

10 Novel Crystal开发出100mm β型氧化镓晶圆

Novel Crystal Technology, Inc已成功将其高质量Ga2O3外延片制造技术扩大到100mm。这意味着Ga2O3功率器件现在可以在100mm的量产线上生产。

11 上海光机所在金刚石异质外延方面取得进展

研究人员提出了一种新的激光晶体热管理方法，即直接在晶体表面异质外延生长金刚石薄膜。研究人员采用微波等离子体化学气相沉积技术（MPCVD），以与金刚石性质差异巨大的YAG晶体作为衬底，系统地研究了在该衬底上异质外延生长金刚石的工艺，讨论了预沉积处理对金刚石异质外延的作用机理，成功制备了一系列连续、高质量的金刚石薄膜。

12 中国科大在氮化镓p-n异质结中实现光电流极性反转

中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授、孙海定研究员团队在氮化镓（GaN）半导体p-n异质结中实现了独特的光电流极性反转（即双向光电流现象）。相关成果以“Bidirectional photocurrent in p–n heterojunction nanowires”为题于9月23日发表在《自然•电子学》上（Nature Electronics 2021, 4, 645–652）。这是中国科大首次以第一作者单位在电子器件领域知名期刊Nature Electronics上发表研究论文。

13 扩产能，降成本！意法半导体制造首批200mm碳化硅晶圆

意法半导体（简称ST）宣布，ST瑞典北雪平工厂制造出首批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圆片，这些晶圆将用于生产下一代电力电子芯片的产品原型。SiC晶圆升级到200mm标志着ST面向汽车和工业客户的扩产计划取得重要的阶段性成功，巩固了ST在这一开创性技术领域的领导地位，提高了电力电子芯片的轻量化和能效，降低客户获取这些产品的总拥有成本。

14 日本德山在线展示氮化铝单晶衬底，或即将产业化

9月6日，国际知名设备和材料科学技术会议SSDM第53届年会线上举行，日本德山化工则展示了其正在研制中的用于电子器件和其它衬底的氢化物气相外延（HVPE）生长的AlN单晶衬底，这更像是产业化之前的预告片。