三星公布最新制程节点时间表，首谈2nm

来源：编译自anandtech

3D FinFET 晶体管之外的关键半导体技术之一是 Gate-All-Around 晶体管，它有望帮助扩展驱动处理器和组件的能力，使其具有更高的性能和更低的功耗。三星一直宣布其第一代 GAA 技术将与其3nm节点、3GAE和 3GAP 工艺保持一致。昨天，在三星代工论坛上，更多的见解被放在了推出的时间表中，以及关于其 2nm 工艺的讨论中。

人们普遍预计，一旦标准 FinFET 失去动力，半导体制造行业将转向 GAAFET 设计。每个领先的供应商都称他们的实现方式不同（英特尔的RibbonFET，三星的 MBCFET），但它们都使用相同的基本原理——具有多个层的灵活宽度晶体管帮助驱动晶体管电流。FinFET 依赖于源极/漏极的多个量化鳍片和多个鳍片轨迹的单元高度，而 GAAFET 支持可变长度的单个鳍片，从而允许在功率、性能或面积方面优化每个单独单元器件的电流。

多年来，所有大型供应商都在技术半导体会议上讨论 GAAFET。例如， 在 2020 年 6 月的国际 VLSI 会议上，英特尔首席技术官 Mike Mayberry 博士展示了一张图表，其中包含迁移到 GAA 设计的增强静电。当时我们询问了英特尔批量实施 GAA 的时间表，并被告知预计“在 5年内”。目前英特尔的 RibbonFET 将采用 20A 工艺，可能在 2024 年底前量产。相比之下，台积电正在引入其等效技术凭借其 2nm 工艺节点，表明他们可以将 FinFET 技术的寿命延长至 3nm 的另一代。目前，台积电推出的确切时间表仍然相当模糊，因为该公司预计其 N5 和 N3 产品将是广泛的长寿命节点。

几年前，三星实际上让我们感到惊讶，宣布它在 2019 年初推出了其 GAA 技术的原型版本。该公司表示，它正在向合作伙伴提供 v0.1 开发套件，让他们可以在早期进行试验。三星要求的设计规则。随着时间的推移，这种情况有所改善，几个月前在一次仅限中国的会议上的一次演讲中，该公司表示，其 3nm GAA 技术的一个版本将有望在 2022 年部署。今天，三星正在确认并扩展这些期望。

在与三星代工市场战略高级副总裁 MoonSoo Kang 交谈时，他概述了三星 GAA 工艺节点的以下时间表：

§ 3GAE 将于 EoY 2022 投入量产

§ 3GAP 将在一年后于 EoY 2023 大规模生产

§ 2GAP还需要几年时间，2025年量产

他还补充说，这些是大规模生产计划——货架上的产品将取决于客户和他们自己的部署。从那以后，我们通常会在这些时间之后增加一两个季度（3-6 个月），因此根据这些时间表，2GAP 实际上是面向最终用户的 2026 年产品。

这是三星第一次谈论其 2nm 工艺技术，它是对三星期望为 3nm 变体提供的迭代优化。有关这些工艺节点性能预期的确切细节可能会在今天晚些时候的三星代工论坛 2021 活动中公布。请继续关注其他报道。

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