纳米纤维复合薄膜中直接和间接磁电耦合的研究

J. Phys. Chem. C：P（VDF-HFP）/CoFe2O4纳米纤维复合薄膜中直接和间接磁电耦合的研究

DOI: 10.1021/acs.jpcc.0c02710 通过振动样品磁力计分析和磁电测量分别研究了极化和未极化P（VDF-HFP）/CoFe2O4纳米纤维复合膜的间接和直接磁电（ME）耦合。在磁场作用下，介电常数、介电损耗、电容、阻抗等电序参数发生了变化。此外，还计算了具有不同CoFe2O4纳米纤维负载量的复合膜的磁介电常数、磁损耗、磁电容和磁阻抗的百分比。利用朗道自由能理论研究了复合膜中ME耦合的性质，结果表明，在所有非极化和极化膜中都存在双二次（P2M2）耦合。此外，研究了复合膜的高阶ME耦合系数，发现对于5wt％P（VDF-HFP）/CoFe2O4纳米纤维的非极化和极化膜，其最大值分别为1.74×10-4和2.24×10-4。制备的具有强ME耦合的薄膜可应用于可调滤波器、磁传感器和换能器等设备。

图1.（a） 极化和非极化PCNF 5、PCNF 10和PCNF 20膜的M-H回路以及（b）在低磁场范围内的M-H图。

图2.（a）介电常数、（b）电容、（c）介电损耗和（d）阻抗与频率的关系图。

图3.（a）MD％、（b）MC％、（c）MZ％和（d）ML％与薄膜磁场的关系图。

图4.复合膜的（a）dM/dH、（b）-M（dM/dH）和（c）dC-1/dH随磁场的变化。

图5.（a）非极化和（b）极化PCNF 5、PCNF 10和PCNF 20膜的((ε(H)-ε(0))/(0))与(M)2的关系图。

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来源:易丝帮