异步快速国产SRAM存储器芯片EMI502HF08VM-10I

静态SRAM芯片是由晶体管组成。SRAM的速度非常快，通常能以20ns或更快的速度工作。静态ram中所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。

针对不同应用市场的SRAM产品的技术呈现两大趋势：一是向高性能通信网络所需的高速器件发展，由于读写速度快，SRAM存储器被用作计算机中的高速缓存，提高它的读写速度对于充分发挥微处理器的优势，改善处理器性能有着积极的意义。另一个是降低功耗，以适应蓬勃发展的便携式应用市场。本篇文章要介绍的是一款异步快速国产SRAM存储器芯片EMI502HF08VM-10I。

伟凌创芯国产SRAM芯片EMI502HF08VM-10I是一款位宽256K x 8的SRAM芯片，使用(8)条公共输入和输出线，并具有一个输出使能引脚，其运行速度快于读取周期的地址访问时间。而EMI502HF08VM-10I允许通过数据字节控制(UB,LB)访问上下字节。快速访问时间10ns，采用JEDEC标准44引脚TSOP-II封装。

该器件采用先进的CMOS工艺，基于6-TR的单元技术制造，电源电压范围为5V，具备三态输出和TTL兼容，支持工业温度范围和芯片规模封装，专为高速电路技术而设计，该系列还支持低数据保持电压，以低数据保持电流实现电池备份操作。封装采用标准44TSOP2。。它是特别适用于高密度高速系统应用。EMI代理商英尚微电子支持提供样品测试及产品技术解决方案。