据小编了解到消息,三星电子7.6日宣布,三星高级技术学院的研究人员与蔚山国家科技技术学院剑桥大学两家高校合作,发现了一种名为非晶态氮化硼的新材料。
据了解,此项研究可能会改变下一代半导体材料局面。
就在前段时间三星加大了高层次半导体领域人才,博士研究生就占到很大一部分。三星电子在全球半导体领域有着举足轻重作用。
这种新发现的材料由泵和氮原子组成为非晶态结构。非晶态氮化硼是由白色石墨烯衍生而来,其中硼原子和氮原子排列成六边形结构。
SAIT石墨烯项目负责人首席研究员ShIn hyeon Jin说:为了增强石墨烯与硅基半导体工艺的兼容性,半导体衬底上的晶片及石墨烯生长应在低于400℃的温度下进行。
三星电子希望在2030年在半导体领域起到领军带头作用,科技创新需要加大研发投入且费时费力。
页面更新:2024-05-14
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