TCL公开“量子点发光二极管”专利，可提高发光效率

TCL科技集团股份有限公司日前公开“一种量子点发光二极管及其制备方法”发明专利，申请号CN201811432326.6，申请公布号CN111244293A。

天眼查App显示，该专利所述量子点发光二极管包括空穴传输层，所述空穴传输层材料包括PAMAM树形分子以及与所述PAMAM树形分子上的氨基结合的金属氧化物纳米颗粒。由于PAMAM树形分子是一种高度支化的树状化合物，其分子链呈不规则排列，适合用于改进金属氧化物纳米颗粒在溶剂中的分散性，提高其成膜性能；所述PAMAM树形分子拥有大量的氨基，可与金属氧化物纳米颗粒形成一个或多个配位键并牢固连接，这使得所述PAMAM树形分子可以以架桥方式连接成膜后的金属氧化物纳米颗粒，所述PAMAM树形分子上的碳支链可以提高金属氧化物纳米颗粒相互之间的电荷传输效率，进而提高量子点发光二极管的发光效率。