三星将发布176层NAND超快SSD，未来NAND能做到1000多层

2013年，三星推出了第一款量产的3D NAND芯片——V-NAND，当时是从24层V-NAND开始的，现在层数方面积累了丰富的经验，有望推出176层V-NAND，但这对于三星来说可能只是一个开始，三星表示，未来会有1000层以上的V-NAND芯片。

目前，英特尔最新为144层，美光也宣布了176层产品，国内的长江存储最新为128层。

有望在今年推出176层V-NAND，PCIe 5.0盘也即将推出

三星打算基于第七代176层V-NAND做消费类固态硬盘，三星表示，它拥有业界最小的NAND Cell。

新闪存接口拥有2000 MT/s的数据传输速率，帮助三星打造采用PCIe 4.0和PCIe 5.0接口的超快SSD。新硬盘采用全新的“针对多任务负载进行优化的”控制器，预计980 Pro的后续产品将在工作站场景中大放异彩。

除了消费级SSD以外，三星也会推出同样采用176层V-NAND的数据中心级SSD，新的硬盘想必会在性能和容量上达到新的高度。

已经做出来了首批200多层V-NAND芯片，1000+层V-NAND也可以想象一下

当176层V-NAND芯片快量产时，三星已经制造出了第一批200层以上的第八代V-NAND芯片。三星表示，将根据市场需求来生产这种新型存储器。按照过往经验，三星通常在每12到18个月就推出一种新型的NAND设备，我们可以推测三星200多层V-NAND的大致发布时间。

NAND厂商在提高层数的过程中面临着许多挑战，比如要使NAND的Cell尽可能的小，层尽可能的薄，需要使用新材料来更可靠地存储电荷。蚀刻百层的NAND也极具挑战性，由于一次蚀刻数百层本身不太可行，而且成本又特别高，于是厂商开始使用堆叠类的技术，但相应的也提高了大批量生产的难度。

考虑到NAND闪存需要用在智能手机和个人电脑里，所以要尽可能的做得很薄，所以，层数的增加也是有限制的，但三星认为，1000多层的NAND是可行的。

V-NAND的野望

今年早些时候，SK海力士设想了要做600层3D NAND，所以，在3D NAND方面的更高层数的发展是业内的一个都看好的方向。

具体到底三星什么时候会有1000层的V-NAND，SK海力士什么时候能做出来600层的NAND还很难说，可以肯定的是，层数并不会每年翻番，在一些规划中，都是以五年或者十年来规划发展路线图的。