业绩爆表的晶瑞电材:年近花甲的技术大佬撑起光刻胶国产替代重任

借用被封号的娘P风小逸的话语,晶瑞电材(300.SZ)上半年的业绩厉害害,营收、净利润翻倍倍了也。上半年公司营收8.63亿元,已经超过2019年全年营收,照此估计全年营收超过16亿也是大概率的。上半年净利润1.16亿元,扣非净利润0.55亿元,较去年同期分别增长4.67倍和2.71倍。

业绩爆表的晶瑞电材:年近花甲的技术大佬撑起光刻胶国产替代重任

公司现在发展成为以微电子材料为主的平台新高新技术企业,在超净高纯试剂和光刻胶领域拥有深厚的技术、研发和产品积累,这离不开一位跳槽多次、年近六旬的技术大佬穆启道先生。穆启道是江南大学教授,在加入晶瑞电材之前其在北京科华任职五年。

利润翻倍倍,业绩厉害害,晶瑞电材上半年靠什么赚了大钱钱?

今年上半年改名后的晶瑞电材业绩非常亮眼,请看下图:

业绩爆表的晶瑞电材:年近花甲的技术大佬撑起光刻胶国产替代重任

资料来源:晶瑞电材上半年主要财务数据,公司半年报,阿尔法经济研究

公司现在已经发展成了以微电子材料为主的平台型高新技术企业,围绕半导体材料和新能源材料两个方向,公司形成了光刻胶及配套材料、超净高纯试剂、锂电池材料和基础化工材料四大业务。上半年受市场需求旺盛驱动,公司产品量价齐升,主要产品营收均出现高速增长:

业绩爆表的晶瑞电材:年近花甲的技术大佬撑起光刻胶国产替代重任

资料来源:晶瑞电材上半年营收构成,公司半年报,阿尔法经济研究

按产品分类,光刻胶及配套试剂实现营收1.43亿元,同比增长70.98%;超净高纯试剂1.47亿元,同比增长16.24%;锂电池材料实现营收2.88亿元,同比增长91.74%;基础化工材料营收2.43亿元,同比增长34.19%。

不过由于上半年原材料价格上涨以及按照新手入准则要求,将不属于单项履约义务的运费计入营业成本所致,上半年营业成本增速超过营业收入增速,挤压了毛利率空间,公司四大类产品毛利率出现不同程度的下降,尤其是基础化工材料毛利率下降11.49个百分点至7.47%,已经处于微利状态。

费用方面,上半年晶瑞电材销售期间费用率下降至10.38%,相比去年同期下降11.52个百分点,主要是受新手入准则影响销售费用下降50.54%,报告期内汇兑损益及贷款利率下降让财务费用下降25.31%,管理费用和研发投入分别为0.43亿元和0.19亿元,分别增长48.07%和24.81%:

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资料来源:晶瑞电材期间费用,Wind股票,阿尔法经济研究

过亿高端光刻机进场,高端光刻胶核心工艺实现自主

晶瑞电材光刻胶产品由子公司苏州瑞红生产,苏州瑞红作为国内光刻胶领域的先驱,拥有近30年的光刻胶生产经验。公司紫外负性光刻胶和宽谱正胶及部分g线光刻胶已分别规模供应市场28年和25年,高端光刻胶方面,KrF光刻胶已经完成中试,产品分辨率达到0.25-0.13微米技术要求,建成了中试示范线,目前进入客户测试阶段;ArF高端光刻胶研发工作已启动,在设备、人才等方面已经加大投入,未来ArF光刻胶将满足90-28nm制程技术需求。按照公司计划,ArF光刻胶配方将于2022年完成研制,2023年完成中试线建设:

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资料来源:晶瑞电材发展历程,券商研报,阿尔法经济研究

今年1月下旬,公司购买的一台ASML XT1900Gi型浸没式光刻机运抵苏州并搬入高端实验室,用于高端光刻胶研发。公司已经配备了ASML、Nikon的光刻机和东京电子的ACT-clean track涂胶显影设备,满足光刻胶的研发及检测。

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资料来源:晶瑞电材研发光刻胶所用设备,公司问询反馈资料,阿尔法经济研究

除了半导体用光刻胶,晶瑞电材与日本三菱化学于2016年在苏州设立了LCD用彩色光刻胶共同研究所,并于2019年开始批量生产供应显示面板厂商。目前公司的半导体客户有中芯国际、长江存储和华润微等,面板客户有华星光电和中电熊猫等:

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资料来源:晶瑞电材主要客户,公开资料整理,阿尔法经济研究

晶瑞电材持续生产光刻胶28年,是国内最早研发及规模量产光刻胶的几家企业之一。截止2020年9月底,公司拥有16项光刻胶及配套材料专利,其中绝大部分为原创专利,涵盖193nm光刻胶制备、光刻胶剥离及清洗等关键环节。光刻胶制备是光刻胶最核心的技术,公司193nm光刻胶制备技术专利申请意味着掌握了最核心的工艺:

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资料来源:晶瑞电材光刻胶核心专利,公司问询反馈资料整理,阿尔法经济研究

产能方面,截止2020年9月底,晶瑞电材拥有光刻胶产能825吨,年产量400多吨,2020年前九月产能利用率下降主要系2020年公司新增500吨彩色光刻胶产能,1-9月份对应新增375吨彩色光刻胶产能,因该类光刻胶处于市场开拓期,导致产能利用率下降:

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资料来源:晶瑞电材光刻胶产能,公司问询反馈资料整理,阿尔法经济研究

不过剔除彩色光刻胶产能,公司原有光刻胶产能还是比较有限。

三大试剂等级最高,超净高纯试剂高端化初显成效

晶瑞电材在超净高纯试剂领域拥有长期技术积累,多款试剂产品达到G4的高等级,其中双氧水、硫酸和氨水三大类产品已经实现整体技术突破,自主开发了超大规模集成电路用超净高纯双氧水技术等多项核心技术,产品等级达到行业最高的G5等级,可满足4nm及以上IC加工工艺,公司也是国内唯一同时可供应超净高纯硫酸、超净高纯双氧水和超净高纯氨水三种高纯试剂的企业,产品已获得中芯国际、华虹和长江存储等客户的采购或认证:

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资料来源:晶瑞电材高纯试剂基本信息,券商研报,阿尔法经济研究

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资料来源:晶瑞电材高纯试剂等级,券商研报,阿尔法经济研究

业绩爆表的晶瑞电材:年近花甲的技术大佬撑起光刻胶国产替代重任

资料来源:晶瑞电材高纯试剂核心技术,券商研报,阿尔法经济研究

产能方面,目前晶瑞电材拥有苏州吴中经济开发区善凤路河东工业园、成眉石化园区、华县工业园区、如皋港化工新材料产业园和马鞍山和县省精细化工产业基地五大园区,拥有光刻胶及配套试剂产能0.81万吨,拥有超净高纯试剂产能3.87万吨,产能均处于高位运行。另外公司还新建有4万吨超净高纯产线,新产能建成后将有利于企业进一步扩大市场份额,提升竞争能力:

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资料来源:晶瑞电材主要产品产能,券商研报,阿尔法经济研究

锂电材料押赛道,基础化工做辅助

2019年晶瑞电材以4.1亿元价格收购了载元派尔森,涉足NMP业务。公司的锂电材料主要包括NMP、SBR、CMCLi、PAA和电解液等,其中NMP在锂电池生产中作为正极涂布溶剂和导电剂浆料溶剂,起着重要的作用。根据GGII预测,2025年中国锂电池市场出货量将达到615GWh,作为正极溶剂,NMP的需求量将达到105万吨,相比2020年的24万吨,五年内净增长81万吨。

目前公司拥有2.5万吨/年的NMP生产及回收能力,经过多年市场开拓和客户维护,公司拥有一批长期合作的优质客户,三星西安与公司达成长期战略合作关系,公司是三星西安唯一指定NMP供应商。

其他锂电材料方面,SBR是锂电池粘接剂的重要成分,公司的SBR产品具有用量少、内阻低、耐低温性能突出和循环性能优良等优点,能够满足客户对粘接性能、耐溶剂性能等产品特性的个性化需求。公司研发的CMCLi粘接剂也顺利量产,相比传统CMCNa粘接剂可以提高首效性能和改善低温性能等,实现了我国在该领域零的突破。

今年8月份公司发布公告称将新建年产1万吨γ-丁内酯及5万吨半导体级N-甲基吡咯烷酮扩建项目,项目建成后将有助于推动公司产能布局和业务发展,巩固市场地位。

公司的基础化工材料主要是硫酸、三氧化硫和蒸汽等产品,公司拥有年产30万吨高品质工业硫酸,随着年产9万吨超大规模集成电路用半导体级高纯硫酸技改项目的实施,部分硫酸产能将由基础化工行业类别转化为超净高纯试剂行业类别,产品结构进一步优化。

年近六旬多次跳槽,说说晶瑞电材背后的那个男人

晶瑞电材的业务看点还是超净高纯试剂和光刻胶及配套试剂,其中超净高纯试剂领域公司拥有20余种产品,硫酸、氨水和双氧水已经达到G5级别,满足国产替代需要,其他试剂陆续向高端延伸;光刻胶及配套试剂方面,除了量产多年的G线、I线等低端产品,公司KrF光刻胶完成中试,量产可期,而更高端的ArF将于2023年进入中试,未来公司将与南大光电等一道,有望成为重要的高端光刻胶供应商。

晶瑞电材的核心技术人员是刘兵先生和穆启道先生。尤其是1963年出生的穆启道先生,1986年开始便从事化学试剂研究工作,2006年以来先后在北京科华、昆山瑞和和苏州瑞红从事电子化学品及超净高纯试剂的研发工作,特别是在超净高纯试剂领域具有深厚技术积累,先后主持并完成了多项国家02重大科技专项和“863”重大科技专项课题等多项课题。

百度学术上可以找到多篇穆启道的论文,比较重要的有:

超净高纯试剂的现状、应用、制备及配套技术(2002年):超净高纯试剂的主要应用于基片在涂胶前的湿法清洗、光刻过程中的蚀刻及最终去胶、硅片本身制作过程中的清洗,其制备及配套处理技术有工艺制备技术(包括精馏、蒸馏、亚沸蒸馏、等温蒸馏、减压蒸馏、气体吸收、化学处理等)、颗粒分析测试技术、金属杂质分析测试技术(ICP、ICP-MS等)、非金属杂质分析测试技术(离子色谱法)、高纯水技术和包装技术等。

超净高纯试剂的现状与制备(2006):除了2002年论文提到的精馏等方法,还提到离子交换技术和膜分离技术。

集成电路制作技术的发展与超净高纯试剂的应用(2003):指出MOS级超净高纯试剂已经全部实现国产化,BV-Ⅲ(相当于SEMI C7级别)国内供应500吨,其他进口,而BV-Ⅳ级(相当于SEMI C8)及以上的全部依赖进口.

微电子光致抗蚀剂的发展及应用(2014):介绍了从聚乙烯醇肉桂酸酯、环化橡胶-叠氮化合物、酚醛树脂-重氮萘醌类光致抗蚀剂到DUV、F2和EUV光刻胶中所用的光致抗蚀剂,介绍了下一代技术用光致抗蚀剂的最新研究成果。

含N-苯基马来酰亚胺甲基丙烯酸酯共聚物的合成及其在负性光致抗蚀剂中的应用(2015):介绍了一种由甲基丙烯酸(MAA)、甲基丙烯酸甲酯(MMA)、N-苯基马来酰亚胺(N-PMI)和甲基丙烯酸环己基酯(CHMA)等制备光致抗蚀剂甲基丙烯酸酯共聚物G-PMMNC的方法。

193nm浸没式光刻材料的研究进展(2008):在北京科华时发表的论文,介绍了浸没液体、顶部涂料和浸没式光刻胶的研究成果。

支化型光敏聚苯乙烯马来酸酐的合成及在光致抗蚀剂中的应用(2015):,介绍了以苯乙烯、马来酸酐为共聚单体通过巯基链转移聚合法合成了具有不同支化单体含量的支化聚合物(BPSMA)。

RAFT聚合法合成甲基丙烯酸酯共聚物及其在负性光致抗蚀剂中的应用(2016):介绍了以甲基丙烯酸(MAA)、甲基丙烯酸苄基酯(BZMA)、甲基丙烯酸羟乙酯(HEMA)和丙烯酸正丁酯(BA)为共聚单体,偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂,2-(十二烷基三硫代碳酸酯基)-2-甲基丙酸(DMP)为链转移试剂,采用可逆加成一断裂链转移聚合(RAFT)制备了甲基丙烯酸酯共聚物(PMBBH)。

248nm光刻胶用丙烯酸共聚物的合成与性能(2017):以对乙酰氧基苯乙烯(ASM)、丙烯酸叔丁酯(TBA)、丙烯酸四氢呋喃酯(TA)和2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯(MAM)为单体,偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂,通过自由基聚合制备了不同MAM含量的丙烯酸酯类共聚物P(ASMco-TBA-co-TA-co-MAM)(PATTM),加入一定量的甲醇钠和甲醇进行醇解,制得丙烯酸酯类共聚物PATTM-A。

2013年5月至今穆启道先生就职于苏州瑞红并担任总工程师职务,在此期间发表的论文反应了晶瑞电材光刻胶及配套试剂的相关技术。


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页面更新:2024-03-16

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