报告 | 2021年中国第三代半导体材料产业创新与投资趋势

作者

新材料产业研究中心

前言

第三代半导体材料是指带隙宽度明显大于Si的宽禁带半导体材料，主要包括SiC、GaN、金刚石等，因其禁带宽度大于或等于2.3电子伏特，又被称为宽禁带半导体材料。和第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等条件下的新要求。第三代半导体材料是目前半导体材料领域最有前景的材料，在航空、航天、石油勘探、光存储等领域有着广泛应用前景，在宽带通信、太阳能、汽车制造、半导体照明、智能电网等众多行业相比传统Si基衬底可以降低50%以上的能量损失，最高可以使装备体积减小75%以上，对人类科技的发展具有里程碑的意义。本报告主要研究GaN衬底和SiC衬底这两种已经得到产业化应用的第三代半导体材料。

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