厉害了国产芯！全球第一获权威机构认可，长江储存芯片即将量产

5G技术的成熟，大数字信息化时代的到来，给半导体芯片及其上下游器件提出了更高的技术要求。负责进行数据储存、信息读写的硬盘、闪存也是如此。与我们在光刻机等芯片代工设备上的落后状态不同，我们在芯片设计领域中的造诣还是很高的。例如华为的麒麟芯片以及本文要讲的长江储存的128层QLC、TLC闪存。

2021年9月30日消息。权威机构Tech Insights对长江储存128层堆栈的512Gb的TLC闪存芯片进行了拆解。Tech Insights通过拆解发现，长江储存该枚128层堆栈的TLC闪存芯片在储存密度上已经达到了惊人的8.48Gb/mm²，远超三星、美光、SK海力士这三大世界级储存芯片巨头。

其中三星现有的最高密度的储存芯片为6.91Gb/mm²，SK海力士的为8.13Gb/mm²，美光的为7.76Gb/mm².一般来说，闪存芯片的储存密度越高，其储存容量和数据读写速度越快，包含的技术水准越高。Tech Insights的拆解倒也证实了长江储存早先对自家128层堆栈工艺芯片的解释。

即长江储存在2020年4月份推出128层堆栈的3D闪存后，对其介绍道：“公司推出的128层堆栈QLC 3D闪存（X2-6070），是全球首枚128层QLC规格的3D NAND储存芯片。在现有的型号中具备最高的单位面积储存密度、最高的I/0传输速度和最高的芯片容量”。

借助首创的X tacking储存芯片技术，长江储存在业内披荆斩棘，在2019年实现了32层3D NAND芯片的量产，并在此基础上突破64层3D NAND的技术大关，于2019年9月份实现了256Gb的TLC 3DNAND芯片的量产。

补充一点，与早先的2D NAND相比；3D NAND在成本、性能、容量、数据传输、封装等方面上的表现都完全碾压2D NAND.企业的目的是盈利，3D NAND成本低的优势能够极大地推动SSD固态硬盘的普及，促进整个储存芯片产业的发展。

值得一提的是，这次与128层QLC闪存同步登场的还有128层TLC闪存。补充一点，QLC、TLC的共同优点是成本低、容量大，能够缓解大数据背景下，普通消费者对于基本数据储存的需求。因为超过TB的大容量SSD价格都在几千元以上，对于大多数普通消费者而言，这是十分不划算的。不过比起TLC；QLC的成本更低，容量更大。

关于两枚128层堆栈芯片的性能，长江储存解释道：两款产品具有1.6Gbps的I/O读写性能，其中3D QLC的单颗容量达1.33Tb，是公司上一代64层堆栈闪存芯片的5.33倍。补充一点：一般来说，储存芯片的堆栈层数越多，储存芯片的表现越好。目前国外主流的芯片是96层堆栈。

而且和那些只听名声不见影的“PPT成就”不同；长江储存破冰成功的128层堆栈芯片，将于2021年底实现月产10万枚芯片的目标。在生产规模方面，长江储存正积极地调动国产供给链的积极性，争取提高自身的生产力。

不过有一点需要注意，长江储存在储存芯片领域中不断破冰的同时；另一边的美光、三星、SK海力士也在加强布局。例如美光将在2024年步入投产的采用EUV工艺制成的储存芯片，三星加大对西安子公司NAND内存芯片厂的投资等。

与大多数半导体芯片产业一样，储存芯片的行业集中度较高，客户壁垒比较稳固。目前全球的储存芯片市场被三星、SK海力士、美光三大巨头主导。参考Trend Force在2020年发布的“2020年前三季度各大厂商储存芯片营收数据”可知，韩国的三星、SK海力士和美国的美光拿下了全球76%的市场份额。

长江储存等国产芯片巨头的出现，将我国的储存芯片技术拉至世界前列。打破了我们在储存芯片领域中被国外技术“卡脖子”的处境。任重而道远，虽说我们在实现市场份额与三星、SK海力士、美光平起平坐的目标还有很长的一段路要走。国产储存芯片商从“我有这个”到“技术、市场领先”的跨越还需要不断的磨砺。但千里之行，始于足下。

任何事情都是得一步一步的积累，IBM、ASML不是神话，都是一步一步积累的。国人的智慧是无限的，全球十大工程师，有6名都是华人，也很好地说明了这一点。祝愿国产半导体厂商愈发强大，在半导体领域中早日突破核心技术壁垒，谱写出一段属于我们自己的“半导体佳话”。

对于“长江储存即将步入量产的128层内存芯片”大伙有什么想说的呢？你认为128层堆栈技术能否助力国产储存芯实现与美光、三星、SK海力士平起平坐的目标呢？

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