中国芯新突破！中芯国际N+1工艺流片成功

中芯国际突破7纳米工艺的消息不胫而走，大家纷纷相传。这则消息来自，珠海的芯动科技发布。中芯国际尚未有任何信息称，突破7纳米工艺。但其N+1工艺，在去年底已经完成流片工艺。此次，动芯科技宣布基于中芯国际7纳米工艺的芯片流片成功。并称所有 IP 全自主国产，功能一次测试通过。说明中芯国际的N+1工艺已经导入客户试产。后续继续改善产品良品率。

这里面有两个值得思考的问题：一是，N+1工艺可能不是7纳米。可能在8至10纳米之间，属于10纳米工艺的可能性比较大。N+2工艺才是7纳米；二是，所说的IP全自主国产，是动芯科技设计的芯片。而不是中芯国际的芯片制造在这个节点上完全国产自主。也正是这样，中芯国际后续能不能继续生产该节点的芯片，还是一个谜。

前不久，中芯国际部分业务受到美国限制后，也传出占据业务量前三的高通可能把14、28纳米订单转移到其它代工厂，以保持业务正常运行。受到美国限制之后，中芯国际也在评估影响。

美国这样做法，可谓一箭双雕。既不能向华为提供服务，也限制中国芯片的整体工艺的推进。中芯国际作为大陆最先进的晶圆代工厂，影响着半导体产业的上下游。

如果美国继续限制，国内其它领域不突破的话，那么中芯国际也会步入华为海思的后尘。将会出现海思有设计无制造，中芯有工艺无材料、软件和设备的局面。中国芯也将面临更大的挑战。

从物理的角度上分析，力有作用力和反作用力之分。国际半导体协会就宣布，美国限制中芯国际将会损失50亿美元。

损失50亿美元，何止！中国暂时的损失肯定有，中国芯的反击方案是，一边加强国产，一边推行国际合作。这一旦突破美国技术，那么美国的优越性将不复存在。届时，就不是50亿美元，而是更多的50亿美元。

总评：

中国芯面临的问题，既是困难，也是机遇。把握得好，后续的问题就会迎刃而解。把握不好，就会继续购买芯片。突破更高制程的芯片工艺是好事。但中国芯的更大挑战是整个半导体产业的核心技术要实现“去美国化”。（去美国化，不一定是全国产化或完全去美国化。只有实现技术交叉限制即可）