欧界丨实属不易！华为欲突破光刻机技术，必须先解决这三重困难

欧界报道：无法突破光刻机技术是我国目前半导体领域所面临的最大难题，也是造成芯片被美国卡脖子的主要原因。美国去年对华为下达“芯片禁令”更是让国产企业意识到实现芯片自主的重要性，而我国要实现芯片自主，首先要解决的就是光刻机问题。

目前国内最想突破光刻机技术的科技企业莫过于华为，自海思麒麟芯片设计出来，华为的大部分高端智能机几乎搭载的都是自研的海思麒麟芯片，不过，需要注意的是，华为只具有设计芯片的能力，因为缺乏光刻机华为只能与高通、台积电等芯片制造商合作，结果在美国的制裁下，高通、台积电等纷纷停止为华为代工芯片，华为只能陷入无芯可用的困境。“缺芯”给华为造成了严重的损失，同时也让其真正意识到突破光刻机技术的重要性。

事实上，我国半导体企业是具有制造光刻机的能力的，只是不具备研制高端光刻机的能力而已。国内比较知名的光刻机生产商是上海微电子装备（SMEE），这家企业生产的光刻机主要面向的是低端市场，最先进的光刻机也只能达到45nm制程。只可惜这样的工艺远远达不到手机芯片的要求，尤其是最新的5G智能手机。所以，要想手机芯片不被卡脖子，华为还是要突破更先进的光刻机技术。

目前占据全球高端光刻机市场份额最大的是荷兰ASML，其最高端极紫光刻机的市场份额已经达到了100%，值得注意的是取得这样的成就，ASML在原有技术的基础上又花了很长时间来突破，就更别说在光刻机研发方面技术比较差的华为了，可想而知华为未来自研光刻机的路将有多难走，业内曾有人分析，华为想要成功研制光刻机，就必须突破三重困难。

首先，生产光刻机的关键零件目前主要被欧美国家控制，国产可用的替代品技术还远远达不到生产高端光刻机的标准。早在九十年代，欧美国家就开始限制高精尖半导体对华出口，这就导致了我国的半导体行业发展比较缓慢。近两年，美国更是加大了对华半导体设备的出口，虽然前不久才传出中芯国际获得了美国部分半导体厂商半导体设备供应的许可，但这并意味着我国在这方面不再具有威胁，在光刻机关键部件的研发上我国还有很长的路要走。

其次，研发光刻机的关键技术被外国垄断，国内技术人才相当匮乏。据专家介绍，光刻机的研发是一个很艰难的过程，它包括了系统集成、精密光学、精密的物料传输以及高精度微环境控制等领域，这些领域均属于高精尖领域，我国目前正缺乏这方面的人才，因此，未来国家应该重视这类人才的培养。

第三点就是国内的半导体产业还没有形成较好的产业链，要改变这一局面就需要各大科技企业联手整合国内现有的半导体资源，实现资源的最优化。事实上，这三点困境不仅是华为面临的困境，也是国内整个半导体行业所面临的困境。我国总是在逆境中不断发展，相信只要国产企业不放弃，最终一定能实现半导体国产化的目标。

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