因特尔行业突破性技术取得成功 , 超越当前同行业

因特尔作为全球计算机领域的世界级公司，他的每一次技术改革或是创新，都在为全球的计算机行业带来很大的震撼，最近，因特尔公开了最详细的制程工艺和封装技术路线图，展示了一系列底层技术改革，不仅发布十多年来首个全新晶体管架构RibbonFET 和业界首个全新的背面电能传输网络PowerVia之外，因特尔还重点介绍了迅速采用下一代极紫外光刻（EUV）技术的计划，它的高数值孔径（High-NA）EUV。



因特尔有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机，因特尔 CEO帕特·基辛格表示，基于因特尔在先进封装领域毋庸置疑的领先性，我们正在加快制程工艺创新的路线图，以确保到2025年制程性能再度领先业界，因特尔正利用我们无可比拟的持续创新的动力，实现从晶体管到系统层面的全面技术进步。

刻印极微小的图样

基于FinFET晶体管优化，因特尔SEVEN与因特尔TENnm SuperFin相比，每瓦性能将提升约10%-15%，2021年即将推出的Alder Lake客户端产品将会采因特尔SEVEN工艺，之后是面向数据中心的Sapphire Rapids预计将于2022年第一季度投产，因特尔FOUR完全采用光刻技术，可使用超短波长的光，刻印极微小的图样，凭借每瓦性能约20%的提升以及芯片面积的改进，因特尔 FOUR将在2022年下半年投产，并于2023年出货，这些产品包括面向客户端的Meteor Lake和面向数据中心的Granite Rapids。

开启埃米时代

因特尔THREE凭借FinFET的进一步优化和在更多工序中增加对EUV使用，较之因特尔FOUR将在每瓦性能上实现约18%的提升，在芯片面积上也会有额外改进，因特尔THRE将于2023年下半年开始用于相关产品生产， 因特尔TWENTYA将凭借RibbonFET,PowerVia两大突破性技术开启埃米时代，该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。

优化信号传输

PowerVia是因特尔独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输，因特尔TWENTYA预计将在2024年推出，因特尔也很高兴能在因特尔TWENTYA制程工艺技术上，与高通公司进行合作,2025年及更远的未来：从因特尔TWENTYA更进一步的因特尔EIGHTEENA节点也已在研发中，将于2025年初推出，它将对RibbonFET进行改进，在晶体管性能上实现又一次重大飞跃。

突破性技术成功

因特尔还致力于定义、构建和部署下一代High-NA EUV，有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机，因特尔正与ASML密切合作，确保这一行业突破性技术取得成功，超越当前一代EUV， 因特尔公司CEO说，我们公司一直以来都是引领着行业的方向标，我们的不断创新不断改革，也将在行业史上留下我们的足迹，也将带领同行业实现质的飞跃。