多谐振荡器：一个古老的，众所周知的，无聊的课题。不-一点也不：有很多不同的方式来看待他们，他们根本不是他们看起来的样子。

多谐振荡器到底是什么？我想有一个定义是“有几个状态的电路”。现在就可以了，它很宽松，所以留给你很多想象空间！传统的多谐振荡器只有两个阶段，有三种口味：不稳定（两种状态都不稳定，电路在两种状态之间振荡）；单稳态（一种状态稳定，另一种瞬态）。电路可以从一态翻转到二态。事实上，它可以再次“翻转”回来，这就引出了另一个术语“触发器”——但是你可以称一个不稳定的触发器为一个不稳定的触发器！然后你可以得到三表-一个电路我将介绍一个'驴子模拟器'，其中3个晶体管组合成3个独立的不稳定多谐振荡器！

什么是弛豫振荡器？一种电路，从一个电平到另一电平“缓慢”地变化，在这种状态下，它复位到第一个状态，然后又开始改变。

这两种描述可能看起来完全不同——但事实上是一样的——或者至少在它们重叠的地方有一个明显的灰色区域，正如我将要展示的那样。还有很多其他的振荡器电路，它们不是非常传统的多谐振荡器或弛豫振荡器。。

1： “普通”不稳定多谐振荡器。

我觉得这条赛道很无聊，但是，如果我不先介绍它，我该如何详述它所有更有趣的亲戚呢？

操作

假设Tr1是硬打开的（如果你已经用“hard on”索引了这个站点，对不起-它不适合你！）Tr2不导电，所以C2的右端在Vcc：电流通过R3流入Tr1的底部，导致它导通，所以C1的左端是0v。

假设C1没有充电：它的左端被Tr1钳制到0v，但它的右端通过R1从Vcc供电，因此它将通过R1开始充电，其右端正向Vcc移动。在某一点上，C1右端将有足够的电压使Tr2开始导电。

当Tr2开始开启时，Tr2的收集器将开始下降并拉下C2的右端。由于C2是一个电容器，其两端的电压不会突然变化，因此C2的左端也会开始下降。这将剥夺来自Tr1的电流，Tr1将开始关闭，其集电极电压将开始升高。当它这样做的时候，C1将把这个上升的电压输入Tr2的基极，帮助它接通，这样电路就会“崩溃”到Tr2完全打开，Tr1完全关闭的状态。

当Tr2从off快速切换到on时，它的集电极从Vcc下降到0v，（通过电容器动作）Tr1的底部将从大约0.6v反向偏置到（Vcc-0.6v），因为C2的左端跟随右端向下。

现在R3开始向C2的左端充电，从接近-Vcc（低于0v线）正向0v充电，超过0v向Vcc充电。记住Tr2是打开的，所以C2的右端被钳制到0v（通过Tr2）。

当C2的左端达到0.6v左右时，Tr1开始传导，序列重复。

所以电路在两个状态之间切换，Tr1 on（Tr2 off）和Tr2 on（Tr1 off）。每个状态下的时间由R1C1和R3C2确定，为0.69CR（但继续读）。因此，该电路提供了50:50的标记空间，是一个“相当”可靠和可预测的振荡器。显示的值将给出大约1kHz的频率（0.5毫秒开，0.5毫秒关）。

我说“相当”可靠，因为有几点。。。假设Tr1和Tr2都在导电，两个电容器都“放电”：R1的电流流入Tr2，R3的电流流入Tr1。电容器被“放电”，因此没有电流流过：电路处于稳定状态，没有振荡。这种情况发生了，可能是普通多谐振荡器最大的单一问题——以及它的几个近亲。

“不稳定多谐振荡器”（给这个电路起一个“专有”的名字）是在阀门时代发明的，在早期的锗晶体管中很常见。它们的增益可能为20（增益是集电极电流与基极电流的比值：向晶体管的基极注入1微安，增益为20时，集电极电流为20微安）。有了这些典型的R2和R4可能是1K，R1和r310k。然后硅晶体管出现了：它们有更高的增益。这种“振荡失败”变得很常见：如果晶体管不是开得太硬，硅就有更高的增益，电路振荡也更可靠：我选择了R1:R2的100，这将适合增益至少为100的晶体管。

尽管如此，我不会在今天的商业电路的关键部分使用如此简单的多振动装置，因为它可能无法启动。但它仍然是一个有趣的电路和一个很好的学习练习！

如前所述，多振动周期为0.69CR，但这只适用于低电压。当一个晶体管打开时，另一个晶体管的基极被拉到非常硬的负电压（远低于0v线），并且基极被关闭。但是晶体管基极结不能承受太多的反向电压：现代的晶体管基极结似乎是10伏左右，如果你试着在基极上施加一个更大的反向电压，晶体管基极发射极结的传导方式就像齐纳二极管。这会干扰公式-你得到的时间比你预期的要短。

2： 不对称多谐振荡器。

上面简单电路的第二个问题是，它的边缘不是很锋利。就在Tr1关闭后，C1上出现了完整的Vcc，因此R2上有一个小的电压降：C2的充电倾向于使边缘变圆，使边缘不那么锋利。

第二个电路显示了一种绕过这个的方法。注意，一半中的值是另一半的10倍：两部分的时间保持不变，但Tr1上的“舍入”效果会因较小的C1而减小。取而代之的是Tr2的集电极波形由于更大的C2与增加的R4反应而变得更差。

非对称电路也更可靠：由于两个部分不相等，它们一起接通的机会减少了。

3： 伪装的多振动装置。

如果你想画一个多谐振荡器，这样会让工程师感到困惑，试试这个电路。如果你把它和基本的多振动系统比较-它实际上是一样的。但它就像一个两级交流耦合放大器，有着全面的交流反馈。它看起来不是对称的，似乎没有两个完全相同的一半。你画电路的方式很重要。画得不好的电路会隐藏电路的功能并迷惑读者！

4： 互补多振动装置。

另一个明显的事实是，所有的晶体管都是反向的，相反的，所有的晶体管都是反向的。一个相同但互补的电路结果。这是一个很好的事情，你可以做的晶体管-但不是与集成电路。实际上，所有的集成电路都有一个负接地，不能在互补版本中工作。其原因主要是历史原因-早期的硅晶体管制造出了比PNP更好的NPN晶体管。虽然现代制造技术两者兼而有之，但由于电子和空穴流动的差异，内部性能差异非常小，因此NPN是更常见的模型。

但在大多数双晶体管多谐振荡器电路中，可以用互补的晶体管来代替其中一个晶体管（即，将一半电路“倒置”，电路仍能工作）。操作改变了，有时还需要挠头才能看到结果！尽管如此，它仍然是一个迷人的和有益的练习！

上图所示为标准多振动装置，其中一级为其补充。电路看起来可能非常相似，但操作发生了巨大的变化！现在它们不再交替工作，而是一起打开。这个电路，有一个几乎微不足道的变化，已经不再是一个多谐振荡器，变成了一个松弛振荡器！

这应该可以解释为什么我不认为这是两种截然不同的电路类型！名字是语言的东西：现实世界是一个连续体，并不完全符合语言的分类！

由于两个晶体管同时导通，因此导通周期是一个短脉冲，随后是一个长恢复现象的弛豫振荡器。为了增加导通时间，可以将电阻与电容串联，如下面的电路所做的那样。

是的，我收集了很多年的电路。来源不明。

既然集电极电阻分别连接到0v和Vcc，为什么不使用公共集电极电阻呢？事实上-为什么不也有一个共同的基础电阻。两个品种都会振荡，下面的电路也会振荡。

我们通过一些变换，从一个普通的多谐振动中得到了这个结果。但这是一个串联多振动装置！另一个语言方面，现实世界的变化是微不足道的！它引导我们进入一个全新的多谐振动器的类别，第一个例子是元件串联而不是并联。当然，你可以做同样的PNP-NPN转换，就像传统电路一样。

5： 系列多振动装置。

上述S.M.V.had是公共发射器（发射器连接到电源线）。但是对于许多简单的电路，可以把电源看作是两个引线的元件（电池）。串联的电路元件可以重新排列，它们的顺序并不重要。所以让我们把前两个互补的多振动装置重新排列一下。。。。

一个好的，性能良好的振荡器电路。二极管并不是真的需要，但它确实改善了发射器上的波形，这样就有了一个好的锯齿。所示值每37毫秒产生约30微秒的脉冲。脉冲输出可从任一采集器获得。

还要注意，这个电路的两半都是发射极跟随器，发射极跟随器的电压增益小于1。你有没有被教导，你需要电压增益来制造振荡器？这不是真的，只有现在的收益就足够了！

6： 发射极耦合多振动装置。

这是另一个非常简单的电路，即使它的波形很糟糕，也能很好地振荡！

更多的多振动装置

警告这一页将会很长：我有很多这种类型的电路，有很多要说的。我还没写完，但我想你现在更喜欢半页，而不是以后的整页，所以这里有几个电路（没有特别的顺序）我将要写。。。还有很多我还没有转到电脑上！

需要共享什么电路，可以关注并私信我。