7nm已获专利！南大光电完成国家科技重大专项，项目已经通过验收

近日，南大光电官方发布公告：“关于公司承担的国家科技重大专项（02 专项）”已通过专家组验收。其中包括极大规模集成电路制造装备及成熟工艺、先进 7 纳米光刻胶产品开发与光刻胶供给链产业化。

南大光电率先获得科技突破和科技成果，为中国光刻胶产业化进程做出了重大贡献，是该领域的领军企业，也是行业中的佼佼者。

南大光电承接的“国家科技重大专项（02专项）”，其项目目标是：开发高端集成电路用高端制程光刻胶，建设一条具备大规模生产能力、拥有自主知识产权体系的生产链。成立一个能够与国际先进芯片原料接轨的技术与管理人才团队。

根据公告，国家验收专家组认为，通过本项目的实施，宁波南大光电掌握了 ArF 干式和浸没式系列光刻胶产品的原材料制备、配胶、分析检测、应用验证等关键技术。ArF 光刻胶材料是集成电路制造领域的关键材料，可以用于 90nm~14nm 甚至 7nm 技术节点的集成电路制造工艺，广泛应用于高端芯片制造（如逻辑芯片、存储芯片、AI芯片、5G芯片和云计算芯片等）。

南大光电已经在知识产权和人才培养等方面取得了重要进展。形成了由 51 人组成的ArF光刻胶研发与生产管理团队，建成了ArF光刻胶产品的质量控制平台、年产5吨的干式ArF光刻胶及年产20吨的浸没式ArF光刻胶产业化生产线。申请专利91项，实现 ArF光刻胶产品销售。

同时，南大光电也在互动上回复称，公司ArF光刻胶产品开发和产业化项目，目前已完成25吨光刻胶生产线建设，主要先进光刻设备，如ASML浸没式光刻机等已经完成安装并投入使用。购买的ASML浸没式光刻机可以满足90nm以下技术节点的制造工艺及193nm光刻胶的检测要求。

需要注意的是，有关 7 纳米 ArF 光刻胶的应用，南大光电目前只是小规模投产，与之相关的生产线正在构建当中，其能否大规模进入市场还有待观察。

如今，国内光刻胶需求量远远大于国产产量且差额连年增长，尤其在ArF、高端KrF等半导体光刻胶方面，光刻胶作为“卡脖子”产品国产替代需求迫切。南大光电作为国产光刻胶龙头企业，近期已经取得了不错的成绩，再加上大基金二期的入股，可以说是扶持国产材料的第一步，同时也是加速光刻胶国产化的重要一步。