台积电研讨会上，高管们爆料出EVU光刻机及2纳米的芯片计划

在台积电2021在线技术研讨会上，该公司负责运营的高级副总裁陈永平先生分享了公司芯片制造能力和与极紫外辐射光刻技术公司进展的重要细节。

Chin先生概述说，台积电拥有世界上一半的极紫外电机，并通过最新技术为全球超过一半的硅片提供运输服务。同时，他也详细介绍了台积电的制造实力，包括最新的技术，以及在计划在亚利桑那州的芯片制造园区附近建设3纳米和2纳米制造工厂的进展。

会议上，高管们首先强调，台积电在先进制造工序的产能方面，每年复合增长率有望保持30%。其中包括该公司的16纳米、7纳米和5纳米制造工艺，其中5纳米是台积电的客户和消费者可实现的最新技术。

随后，他分享了台积电7纳米和5纳米节点的生产能力计划。据 Chin 先生说，该工厂有望在今年年底将7纳米制程的产能提高到2018年的四倍。台积电计划将5纳米制程的生产能力比去年提高一倍。

按照公司的长期计划，到2023年，节点的产能将是去年的4倍。这两个方案分别针对台积电的N7和N5工艺系列，其中包括像N6和N4这样的工艺。据高级副总裁兼研发部主任 Y. J. Mii博士介绍，N4型风险产品将在今年晚些时候投产。

TSMC 的高级副总裁摘录了芯片厂 N5和 N4工艺的缺陷密度。图片来源: TSMC 2021在线技术研讨会/台湾半导体制造公司

台积电的业务主管概述说，对于他公司的N5和N4流程而言，共同使用的缺陷密度，或最终产品所占比例，缺陷密度已降至7纳米(N7和N6)流程系列，而N4的数据则反映出早期缺陷。

在全球已安装的 EUV生产基地中，台积电占50%。更重要的是，晶圆厂负责运输全球65%的半导体晶片，这些晶片上都印着最新机器的电路。在2020年上半年，被称为“EUV”的芯片移动比例达到60%。

台积电计划增加EUV 薄膜和时间长度

根据先例，台积电计划用它的2纳米芯片制造流程建立一家新的芯片制造半导体工厂，将覆盖它的2纳米芯片制造流程。该厂将设在台湾新竹地区，命名为Fab-20。第一阶段项目包括四个阶段，公司目前正在为之购买土地。