国产芯或将弯道超车，关键材料获得新突破！比亚迪宣布“成果”

芯片领域已经成为了我们国家众多企业关注的焦点，一方面是芯片已经是众多行业必备的材料，一方面是芯片领域已经被其他国家所压制，明显阻碍到我们国家众多行业发展。因此我们国家对于芯片的研究也加大了力度，据最新消息，我们的国产芯研发进度有望超车。

我们国家在芯片领域技术落后是现实问题，因为我们的芯片发展晚了西方国家很多年，当我们有能力去发展芯片技术的时候，西方国家的芯片技术已经甩了我们几条街，并且西方国家为了限制我们的发展，对我们实行技术封锁。随着芯片在我们各行各业的发展中占据重要地位，芯片技术的突破刻不容缓。

前两代的芯片技术我们在很长一段时间里都很难突破的了，所以我们只能另辟蹊径，开始在第三代芯片上进行研发，因为现在第三代芯片技术所有国家都尚未有进展，西方国家也更加不可能有能力对我们国家进行技术封锁，我们进行研发的难度也就稍微小一点，这是我们芯片领域实现超车的最好机会。

目前第三代芯片研究以碳化硅为主，我国走在前面的是合肥的相关企业和学术机构，因为其计划着成为我们国家的第二大芯片基地，据了解合肥的中国科技大学与匈牙利的学者达成了初步的合作，实现了单个碳化硅双空位色心电子自旋在室温之下操控及读出，这对于我们开发碳化硅成为半导体的材料有很大的帮助。

除了合肥相关企业和学术机构的研究，新能源汽车领域也在进行了尝试，比亚迪在汉EV高性能四驱版上搭载上了碳化硅元件，这是比亚迪在碳化硅材料的首次尝试，特斯拉也在最新的一款车型上搭载了碳化硅的逆变器，随着新能源汽车与碳化硅材料的不断尝试，我们未来将碳化硅应用到芯片材料商就更加有信心。

由于第三代芯片材料大部分用于光伏、新能源汽车以及是5G网络等领域，而这些领域的市场又恰好在中国，所以说未来中国会是碳化硅材料最集中的地方，而这也是最有利于我们国家推进碳化硅研究的进度。

有网友就疑惑，为何第三代芯片材料是碳化硅呢？对于第三代芯片材料的要求是有硅的特性，同时还要满足新出现设备的应用，相比于其他的材料碳化硅是最适合的。

碳化硅作为硅基的取代材料，既拥有硅的各种优势，又填补了硅的劣势，并且还具备抗高压高温，甚至是高频的特点。特别值得一提的是，在性能一样的情况下，碳化硅的尺寸更加的小，能量损失也会相比于硅胶晶圆小很多，这就使得碳化硅的工作效率高很多。

正是因为碳化硅的优势远远大于第二代芯片材料，所以各个国家对于碳化硅的研究也就非常重视，如果碳化硅成功的被应用，将会使得芯片制造水平又高一个台阶。

我们目前对于第三代芯片材料的研究可谓是备受关注，因为这涉及我们国家能否赶上西方国家的芯片技术水平，甚至是有没有可能会赶超。我们的芯片技术一直不被重视，原先就因为实力不够没有办法跟上西方国家的芯片技术，后又有汉芯造假的事件，寒了很多本土企业的心，严重影响中国芯片技术突破的进程。

而在我们终于醒悟芯片技术非常重要的时候，西方国家开始对我们国家进行技术封锁，甚至是不对我们国家提供芯片，就如19年的时候，华为因为5G网络赶超美国，就被美国断供芯片。而且我们国家希望向ARM购买一台光刻机，也迟迟得不到回应。

现在的芯片领域，可以说是被西方国家所垄断，由于西方国家已经掌握了很多的第二代芯片材料的专利，我们想要绕开这些专利去突破十分困难，所以我们只能尽最大的可能在第三代芯片材料上突破，抢先在西方国家有专利之前，才有可能结束被技术封锁的局面。

对于碳化硅的研究不仅仅是关乎芯片领域，更是关乎我们国家众多行业的发展了，我们如果在第三代芯片材料上不能赶超其他国家，那么我们将会继续面临技术封锁的局面，未来我们在其他领域有所赶超也依然会被其他国家限制住，无法有大展身手之地。