党媒痛批吹嘘“国产光刻机”是一种精神鸦片，无的放矢的自我陶醉

11月29日，中科院研制的“超分辨光刻装备”通过验收，消息传着传着就变味了，各种自媒体狂嗨《打破科学宝塔中的明灯，中国百年来最大科研突破突破》《国产光刻机伟大突破，国产芯片白菜化在即》《突破荷兰技术封锁，弯道超车》，把一些消息弄得荒腔走板，偏离了正确的轨道，人民日报本月连续六篇文章痛批。

谈论起光刻机，我们就不得不说与我们日常息息相关的芯片行业，在日常生活中，从小到我们每天都要接触的智能手机，个人电脑，大到军舰坦克卫星等高科技产品，其内都包含有大量的芯片。毫不避讳的说半导体芯片已经渗透到我们生活的各个领域，而芯片技术的发展也将极大程度上促进当今科学技术的进步与发展。但产品的特性决定了半导体技术必须向高度集成的方向发展，集大成者光刻机应运而生。

目前最先进的光刻机在荷兰，全球只有一家企业在光刻机市场上占据了80%的份额，就是地处荷兰的ASML，其公司所研发的EUV光刻机曾售价高达1亿美元一台，而且由于产能有限，中国连排队的资格都没有。因为每台光刻机的装配大约需要80000个零件左右，预计ASML2018年面向全球的产量仅为12台，也就是1个月只能有1台出售给半导体厂商。国际上著名的芯片制造商如三星，海力士，镁光，英特尔都是它名下的股东。

那么本月各媒体各大V热炒的中国研制出来的世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备，到底具备什么水平呢？

首先有两个问题：

一：我国的芯片产业能不能自给自足？

答案是：目前不能，并且还需要大量的国外设备。

二：我国目前研制出来的这个光刻机到底具备怎么样的实力，是否能和光刻机霸主ASML有一拼？

答案是：够先进，但不顶尖，不能量产，无法和ASML做正面对比。

有业内专家透露，有些媒体的说法是错误的，比如“光刻分辨力达到22纳米，结合多重曝光技术后，可用于制造10纳米级别的芯片”专家指出，如果真的能做22nm的线宽，不用多次成像了，单次曝光就可以做10nm了。因为就design rule而言，10nm的metal层最紧的也只有44nm pitch，22nm CD，一次成像就够用了。就算是poly 66nm pitch，单次成像也足够了。况且10nm的Fin 本来就要用SAQP也只需要单次曝光，现在可以回到14nm的SADP，Fin pitch一般是36nm和33nm，所以真能做的22nm线宽，44nm pitch，做啥layer都可以只用一次就够了。

所以很多人只盯着新闻里22nm这个指标，其实大家要关注的是，365nm的光源，单次曝光线宽可达22nm，22nm指标虽然很棒但是业界早就做过了，到底哪里厉害呢？所以关键是用365nm的光源单次曝光做到22nm，但凡对于光学有了解的就知道这意味着什么，因为它打破了传统的衍射极限。所以目前看来，这台机器最大的价值是验证了表面等离子体光刻加工的可行性。

目前在光刻机研制方面，供我们选择的余地个思路并不多，我们是沿着ASML的老路去亦步亦趋的一点点的攻克，还是另辟蹊径去取个巧，把前面的的那座大山绕开？目前我们做的这台光刻机的意义就在于此，仅此而已，不过一旦发现有突破的火苗，相信总用一天会燃烧起来的，并且我们也笃定那一天不会远了。