大猜想！三星有可能超越台积电吗？不妨听我分析一下

首先，国际半导体专家以及IC Knowledge的创始人Scotten Jones给出三星7nm和台积电7nm的对比结果：两家的7nm工艺，在晶体管密度上非常接近，性能和能耗比也非常接近。目前三星7nm和台积电7nm基本处于同一水平。

虽然，三星和台积电的7nm性能基本一致，但是三星由于良品率的问题，确实失去了巨大的实市场份额，台积电以可靠的产能超越三星。

同时，台积电已经在5nm取得巨大突破，未来一两年内，都会是台积电占据5nm市场的主导份额。

三星如何实现弯道超车呢？之前就有消息指出，三星直接绕开5nm或是4nm的研发时间，把目光投向3nm工艺制程。

据悉，三星将会在3nm工艺引入GAA技术，而台积电的3nm依旧使用旧的FinFet。两种技术有什么差别呢？首先，星3nm（GAA）的性能和能耗比要比台积电3nm（FinFet）要更强，根据三星和台积电的数据进行推算，三星3nm性能1.89，台积电3nm性能为1.82，三星3nm能耗比为5.41，台积电3nm能耗比为5.02。

这么来看，三星3nm的性能可能会比台积电3nm更加优秀和强悍。此外，尤其三星计划直接切入3nm工艺，三星的3nm工艺将会在2021到2022年量产，反观台积电3nm计划在2022年实现量产，三星的3nm芯片最早可能会比台积电的3nm芯片提前1年。

当然了，这些都是通过数据与现在的资料进行的预测，未来到底会发生什么技术革新，这些都是无法预测的。